ZVNL110ASTOA

ZVNL110ASTOA 是 Diodes Incorporated 推出的一款采用 N 沟道增强型 MOSFET 技术的单晶体管。该器件采用经典的 E-Line（TO-92 兼容）通孔封装，为设计工程师提供了在紧凑空间内实现高效开关控制的可靠选择。其核心架构基于成熟的平面 MOSFET 工艺，在硅片上构建了优化的沟道与栅极结构，确保了在宽电压范围内的稳定性和快速响应能力。

在电气特性方面，该 MOSFET 具备 100V 的漏源击穿电压 (Vdss)，为低压至中压应用提供了充足的裕量。其导通电阻 (Rds(On)) 在 Vgs=10V、Id=500mA 条件下最大值为 3 欧姆，结合 1.5V（最大值）的低阈值电压 (Vgs(th))，使其能够被微控制器或逻辑电平信号（低至 5V）轻松驱动，有效简化了驱动电路设计。器件在 25°C 环境温度下的连续漏极电流 (Id) 额定值为 320mA，最大功耗为 700mW，输入电容 (Ciss) 在 Vds=25V 时最大为 75pF，这些参数共同决定了其开关速度和功率处理能力，适合中小功率的开关与线性调节应用。

该器件的接口设计简洁，三个引脚（栅极、漏极、源极）符合行业标准布局。其 栅源电压 (Vgs) 可承受 ±20V 的最大值，增强了在噪声环境下的鲁棒性。宽广的结温工作范围（-55°C 至 150°C）使其能够适应工业、消费电子及汽车辅助系统等对温度要求苛刻的环境。对于需要可靠供货与技术支持的项目，可以通过授权的 DIODES代理商 获取该器件的库存、数据手册及设计支持。

基于其参数组合，ZVNL110ASTOA 非常适合用于需要高效、紧凑开关解决方案的领域。典型应用包括低功率 DC-DC 转换器中的负载开关、电源管理模块的隔离控制、电机驱动电路中的预驱动或小功率 H 桥、以及电池供电设备中的功率路径管理。其通孔封装也使其在原型设计、教育实验板及对可靠性要求较高的工业控制板卡中占有一席之地。

• 型号:ZVNL110ASTOA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 320MA E-LINE
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):320mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:75 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:700mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 封装/外壳:E-Line-3
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