ZVNL110GTA

Diodes Incorporated推出的ZVNL110GTA是一款采用N沟道增强型MOSFET技术的单晶体管。该器件基于成熟的平面MOSFET架构，通过优化的半导体工艺实现了在紧凑封装内的高压与低导通电阻特性平衡。其栅极结构设计确保了在相对较低的驱动电压下即可实现完全导通，这对于简化驱动电路设计、降低系统整体功耗具有积极意义。

在电气性能方面，ZVNL110GTA具备100V的漏源击穿电压（Vdss）和600mA的连续漏极电流（Id）能力，使其能够稳健地处理中小功率的开关任务。其导通电阻（Rds(on)）在Vgs为10V、Id为500mA的条件下典型值仅为3欧姆，这一低导通特性有助于减少导通状态下的功率损耗，提升能效。同时，器件拥有宽泛的栅源电压（Vgs）工作范围，最大可承受±20V，提供了良好的设计余量和抗干扰能力。其输入电容（Ciss）典型值为75pF @ 25V，较低的栅极电荷需求有助于实现快速的开关速度，减少开关损耗，适用于频率较高的应用场合。

该MOSFET采用标准的SOT-223表面贴装封装，在提供良好散热性能的同时，也兼顾了PCB布局的空间效率，其最大功耗为1.1W（Ta）。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠性与稳定性。对于需要稳定供应链和专业技术支持的客户，通过官方授权的DIODES一级代理进行采购是保障产品正品与供货顺畅的重要途径。

凭借其高压、低导通电阻及快速开关特性，ZVNL110GTA非常适合于需要高效功率管理的场景。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流或负载开关、低功率电机驱动控制、电池供电设备的电源路径管理，以及各类消费电子和工业控制板卡中的信号切换与功率控制模块。其稳健的性能使其成为工程师在设计中实现高效、紧凑功率解决方案的可靠选择。

• 型号:ZVNL110GTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 600MA SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):600mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:75 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
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