ZVNL120A

ZVNL120A是一款由Diodes Incorporated设计生产的N沟道增强型功率MOSFET，采用经典的TO-92-3通孔封装。其核心架构基于成熟的平面MOSFET技术，通过优化的单元设计和制造工艺，在紧凑的封装内实现了高耐压与低导通电阻的良好平衡。该器件内部集成了一个高性能的MOSFET单元，其栅极结构经过特别设计，旨在提供稳定的阈值电压和快速的开关响应，为中小功率的开关与控制应用提供了可靠的半导体解决方案。

该器件具备多项突出的电气特性。其漏源击穿电压高达200V，使其能够从容应对反电动势或电源波动带来的高压应力，提升了系统在恶劣电气环境下的可靠性。在导通特性方面，ZVNL120A在5V栅极驱动下，导通电阻典型值较低，这意味着在导通状态下其自身的功率损耗较小，有助于提高整体能效。同时，其栅极阈值电压最大值为1.5V，且驱动电压范围宽（3V至5V），使其能够与多种逻辑电平（如3.3V或5V MCU）直接兼容，简化了驱动电路设计，无需额外的电平转换或复杂的栅极驱动芯片。

在接口与参数层面，ZVNL120A的连续漏极电流额定值为180mA，最大功耗为700mW，适用于中等偏下的电流负载。其输入电容较小，有助于实现快速的开关速度，减少开关过程中的损耗。器件的工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了其在工业级宽温环境下的稳定运行。对于需要可靠供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES中国代理获取产品、数据手册及设计资源。

基于其200V的耐压、良好的导通特性以及TO-92封装的便捷性，ZVNL120A非常适合于一系列中小功率的开关与线性调节应用。典型场景包括离线式开关电源的初级侧启动电路、小功率AC-DC适配器中的辅助电源开关、电子镇流器、以及各种家用电器和工业控制板中的继电器替代或负载开关。其高耐压特性也使其适用于需要处理高压信号的模拟开关或保护电路，为设计工程师提供了一个高性价比且性能稳健的晶体管选择。

• 型号:ZVNL120A
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-92
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 180MA TO92-3
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:3V，5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 欧姆 @ 250mA，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:85 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:700mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-92
• 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
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