ZVNL120CSTOB

ZVNL120CSTOB是Diodes Incorporated推出的一款N沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），采用经典的E-Line（TO-92兼容）通孔封装。该器件基于成熟的平面MOSFET技术构建，其核心架构旨在提供稳定的高压开关与信号放大功能。其栅极采用二氧化硅绝缘层，确保了高输入阻抗与低驱动电流需求，而N沟道设计则优化了电子作为多数载流子的迁移率，从而在给定的芯片面积下实现更低的导通电阻。

该MOSFET的关键特性在于其200V的漏源击穿电压（Vdss）与180mA的连续漏极电流（Id）能力，这使其能够可靠地工作在需要中压隔离或切换的电路中。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为1.5V，配合3V至5V的典型驱动电压，意味着它可以被绝大多数低电压逻辑电路（如3.3V或5V微控制器）轻松且高效地驱动，实现良好的信号接口。在5V栅源电压下，其导通电阻（Rds(On)）典型值较低，有助于减少导通状态下的功率损耗，提升整体能效。此外，其输入电容（Ciss）较小，有助于实现快速的开关切换，减少开关过程中的动态损耗。

在电气参数方面，ZVNL120CSTOB的栅源电压可承受±20V的范围，提供了较强的抗栅极过压能力。其最大功耗为700mW，适用于中小功率应用场景。标准的TO-92兼容封装使其在通孔安装的PCB设计中具有广泛的兼容性和便利的散热途径。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过正规的DIODES授权代理进行采购，以确保获得原厂正品和技术支持。

凭借其高压、低驱动需求及紧凑封装的特点，ZVNL120CSTOB非常适用于各类离线式或电池供电设备的辅助电源管理、继电器驱动替代、LED背光驱动以及低功率电机控制等场合。它常被用于消费电子、工业控制模块和电信设备中，作为高效的电子开关或信号放大器，在系统的小信号控制与大功率负载之间建立起可靠的桥梁。

• 制造商产品型号：ZVNL120CSTOB
• 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 200V 180MA E-LINE
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：200V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：180mA（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：3V，5V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：10 欧姆 @ 250mA，5V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 1mA
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：85pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：700mW（Ta）
• 工作温度：-
• 安装类型：通孔
• 器件封装：E-Line（TO-92 兼容）
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