ZVNL120GTC

ZVNL120GTC是Diodes Incorporated推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术制造。该器件设计用于在紧凑的封装内提供可靠的200V电压阻断能力和高效的开关控制，其核心架构基于成熟的硅基工艺，确保了在宽温度范围内的稳定性和一致性。内部结构优化了栅极控制与导电沟道，旨在实现低栅极电荷与低导通电阻之间的良好平衡，这对于提升开关电源的整体效率至关重要。

该MOSFET具备200V的漏源击穿电压(Vdss)，能够承受较高的关断状态电压应力，适用于离线式或高压直流总线应用。在25°C环境温度下，其连续漏极电流(Id)额定值为320mA，足以驱动中小功率负载。其栅极驱动特性尤为突出，栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为1.5V @ 1mA，且标准驱动电压为5V，这意味着它可以与低电压逻辑电路（如3.3V或5V微控制器）轻松兼容，实现高效、直接的驱动，无需复杂的电平转换电路，简化了系统设计。

在导通性能方面，在5V栅极驱动电压、250mA漏极电流条件下，其导通电阻(Rds(on))最大值仅为10欧姆，较低的导通损耗有助于减少器件发热，提升能效。其输入电容(Ciss)在25V Vds下最大值为85pF，较小的栅极电荷需求使得开关速度更快，开关损耗更低。器件采用坚固的SOT-223表面贴装封装，在提供良好散热能力（最大功耗2W）的同时，保持了较小的PCB占板面积。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，能够适应苛刻的工业环境。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的DIODES代理商获取该产品的技术支持和库存信息。

凭借其高压能力、逻辑电平驱动兼容性以及紧凑的封装，ZVNL120GTC非常适合于需要高效功率切换和空间受限的应用场景。典型应用包括离线式开关电源(SMPS)中的辅助电源开关、DC-DC转换器的高压侧或低压侧开关、电子镇流器、以及各种工业控制设备中的低功率电机驱动或继电器驱动电路。其稳健的设计使其成为对成本、可靠性和性能均有要求的工程师的优选器件。

• 型号:ZVNL120GTC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 320MA SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):320mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:3V，5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 欧姆 @ 250mA，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:85 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
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