ZVP0545ASTZ

Diodes Incorporated推出的ZVP0545ASTZ是一款采用P沟道增强型MOSFET技术的分立半导体器件。该器件基于成熟的平面MOSFET架构，其栅极通过一层薄二氧化硅绝缘层与沟道隔离，实现了电压控制型场效应晶体管的高输入阻抗特性。这种结构使其在关断状态下能够承受高达450V的漏源电压，同时，其导通状态由施加在栅源之间的电压精确控制，确保了开关动作的可靠性与稳定性。

该MOSFET的核心电气特性使其在特定设计中表现出色。其最大连续漏极电流在环境温度25°C下为45mA，适用于中小功率的信号切换或驱动场合。在驱动方面，仅需10V的栅源电压即可使其进入低阻导通状态，在50mA电流、10V驱动电压条件下，其导通电阻典型值仅为150欧姆，这有助于降低导通损耗。其阈值电压Vgs(th)最大值为4.5V（在1mA测试条件下），为逻辑电平兼容设计提供了便利。此外，其输入电容Ciss在25V偏压下最大值为120pF，较小的栅极电荷需求意味着更快的开关速度和更低的驱动电路功耗。

在封装与可靠性方面，ZVP0545ASTZ采用了经典的TO-92兼容E-Line通孔封装，便于在原型制作和成熟产品中进行手工或波峰焊接。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，能够适应严苛的工业环境温度变化。器件最大功耗为700mW，栅源电压可承受±20V的瞬态冲击，增强了系统的鲁棒性。对于需要稳定供货和完整技术支持的客户，通过官方授权的DIODES一级代理进行采购是确保产品正品与供应链安全的重要途径。

凭借450V的高耐压和P沟道特性，该器件非常适合用于需要高压侧开关或电平转换的应用。常见场景包括离线式开关电源的启动电路、小功率AC-DC转换器中的高压信号切换、电子镇流器，以及工业控制系统中作为继电器或接触器的固态替代方案。其紧凑的封装和良好的电气参数使其成为在空间受限且要求高压隔离与可靠开关的电路设计中一个经济高效的选择。

• 型号:ZVP0545ASTZ
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 450V 45MA E-LINE
• 系列:-
• 包装:带盒（TB）
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:450 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):45mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:150 欧姆 @ 50mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:120 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:700mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 封装/外壳:E-Line-3
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