ZVP1320A

作为一款由Diodes Incorporated（美台半导体）设计生产的P沟道功率MOSFET，ZVP1320A采用了成熟的平面MOSFET技术，其核心架构基于金属氧化物半导体场效应晶体管原理。该器件在硅衬底上构建了优化的P型沟道，通过栅极电压控制沟道的导通与关断，实现了对负载电流的高效开关控制。其设计重点在于在紧凑的封装内实现高耐压与可靠的性能平衡，内部结构经过优化以降低寄生参数，确保开关响应的稳定性。

该芯片的功能特点突出体现在其高压处理能力与低驱动需求上。它具备200V的漏源击穿电压(Vdss)，使其能够从容应对工业控制、离线式电源等场合中常见的电压应力。作为P沟道器件，它在栅极施加相对于源极为负的电压时导通，这一特性简化了在某些拓扑结构（如高侧开关）中的驱动电路设计。其最大栅源电压(Vgs)为±20V，提供了较宽的驱动安全裕度。导通电阻在10V驱动电压、50mA漏极电流条件下典型值为80欧姆，结合其70mA的连续漏极电流(Id)能力，适合用于小功率信号切换或作为更大功率器件的驱动级。

在电气参数与接口方面，ZVP1320A展现了良好的易用性。其阈值电压Vgs(th)最大为3.5V（在1mA测试条件下），意味着可以使用标准的逻辑电平或微控制器I/O口进行有效驱动。输入电容(Ciss)最大值为50pF @ 25V，较小的栅极电荷需求有助于实现快速的开关速度并降低驱动电路的损耗。器件采用经典的TO-92-3通孔封装，便于在实验板或PCB上进行手工或波峰焊安装，其最大功耗为625mW，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在宽温环境下的稳定运行。对于需要可靠元器件供应的设计项目，可以通过专业的DIODES芯片代理获取相关技术支持和库存信息。

鉴于其参数特性，ZVP1320A主要面向需要高压、小电流开关功能的应用场景。典型应用包括电信设备中的信号线路保护与切换、消费类电子产品的电源管理模块（如待机电路开关）、工业传感器接口的隔离控制，以及作为其他功率器件的预驱动器。其高耐压特性也使其适用于电子镇流器、小功率离线式开关电源的启动或辅助电路。尽管该产品目前已处于停产状态，但其经过市场验证的设计和参数特性，使其在既有设备维护或特定低成本设计中仍具参考价值。

• 型号:ZVP1320A
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-92
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 200V 70MA TO92-3
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):70mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:80 欧姆 @ 50mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:625mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-92
• 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
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