ZVP1320FTA

ZVP1320FTA是Diodes Incorporated推出的一款高性能P沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的平面MOSFET技术制造，其核心架构基于成熟的金属氧化物半导体场效应晶体管原理，通过优化栅极氧化层和沟道设计，实现了在高压条件下稳定可靠的开关与控制性能。其结构确保了在-55°C至150°C的宽结温范围内，电气特性保持高度一致，为设计提供了坚实的温度稳定性基础。

该MOSFET具备多项突出的功能特性。高达200V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业控制、离线式开关电源辅助电路等场合中常见的高压环境。在10V栅源驱动电压下，其导通电阻（Rds(On)）典型值表现优异，有助于降低导通损耗，提升整体能效。同时，其极低的栅极电荷和输入电容（Ciss最大50pF @ 25V）显著减少了开关过程中的驱动损耗，支持更高频率的开关操作，这对于需要快速响应的应用至关重要。其栅源电压（Vgs）耐受范围达±20V，提供了较强的抗栅极噪声干扰能力。

在接口与关键参数方面，ZVP1320FTA设计为表面贴装型，采用紧凑的SOT-23-3封装，极大节省了PCB空间，非常适用于高密度电路板布局。其连续漏极电流（Id）在环境温度（Ta）下额定为35mA，最大功耗为350mW（Ta），平衡了小型化与功率处理能力。阈值电压Vgs(th)最大值为3.5V @ 1mA，确保了与标准逻辑电平或微控制器I/O口的良好兼容性，便于直接驱动或通过简单电路进行控制。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES中国代理获取产品与设计资源。

基于其高压、低功耗、小尺寸及快速开关的特性，ZVP1320FTA非常适合一系列特定的应用场景。它常被用于离线式AC-DC电源的启动、待机或辅助电源电路，作为高压侧开关或负载开关。在工业自动化设备的信号切换、隔离控制模块以及电池供电设备的高压侧负载管理中，它能提供高效的功率路径控制。此外，在通信设备、智能电表等需要高压小电流开关功能的领域，以及LED照明驱动的辅助电路中，它也是一个可靠且经济的选择。

• 型号:ZVP1320FTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 200V 35MA SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):35mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:80 欧姆 @ 50mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:350mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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