ZVP1320FTC

作为一款由Diodes Incorporated设计的高压P沟道MOSFET，ZVP1320FTC采用了成熟的平面型MOSFET架构。其核心基于金属氧化物半导体场效应晶体管技术，通过优化的掺杂和栅极氧化层工艺，实现了在紧凑封装内的高压阻断能力。该器件利用P沟道载流子特性，在栅极施加负压时导通，为电路设计提供了灵活的电压极性选择，尤其适用于需要以地或正电源作为参考点的开关控制场景。

该器件的一个突出特性是其高达200V的漏源击穿电压(Vdss)，使其能够稳定工作在高压离线式电源、浪涌保护或电机驱动等存在高电压摆幅的电路中。在驱动方面，其最大栅源电压(Vgs)为±20V，提供了较宽的驱动安全裕度。其阈值电压(Vgs(th))最大值为3.5V，意味着它能够与标准的逻辑电平（如5V或3.3V MCU GPIO）较好地兼容，尽管为了获得更低的导通电阻，通常建议使用接近10V的驱动电压。在10V Vgs、50mA漏极电流的条件下，其导通电阻(Rds(on))最大值为80欧姆，这一参数定义了其在中小电流开关应用中的导通损耗水平。

在动态特性与封装方面，ZVP1320FTC的输入电容(Ciss)在25V Vds下最大值为50pF，较低的栅极电荷有助于实现快速的开关切换并降低驱动电路的功耗。其采用标准的SOT-23-3表面贴装封装，占板面积小，非常适合高密度PCB布局。器件在25°C环境温度下的连续漏极电流(Id)额定值为35mA，最大功耗为350mW，其结温工作范围宽达-55°C至150°C，确保了其在严苛工业环境下的可靠性。对于需要可靠货源和完整技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES一级代理进行采购咨询。

凭借其高压、逻辑电平兼容及小封装的特点，该MOSFET典型应用于需要高压侧开关的场合，例如电池供电设备中的电源路径管理、离线式小功率开关电源的启动或辅助电路、电子保险丝、以及仪器仪表中的高压信号切换。它也为设计工程师在替换或升级旧有设计方案时，提供了一个经过市场验证的高性价比分立器件选项。

• 型号:ZVP1320FTC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 200V 35MA SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):35mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:80 欧姆 @ 50mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:350mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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