ZVP2110A

作为一款由Diodes Incorporated设计生产的P沟道增强型功率MOSFET，ZVP2110A采用了成熟的平面MOS工艺技术，其核心架构基于稳定的金属氧化物半导体场效应晶体管原理。该器件设计用于在中等电压下提供可靠的开关控制，其内部结构优化了电荷载流子的迁移路径，从而在给定的封装尺寸内实现了良好的电气性能平衡。其沟道设计确保了在栅极驱动电压达到阈值后，能够形成有效的导电通道，实现对负载电流的精确调控。

该MOSFET具备多项突出的功能特性。其100V的漏源击穿电压(Vdss)使其能够从容应对多种离线式电源或电机驱动应用中可能出现的电压尖峰，提升了系统的可靠性。在驱动方面，它属于电压控制型器件，10V的栅源电压(Vgs)即可确保其进入充分导通状态，这降低了驱动电路的设计复杂度，使其易于被微控制器或逻辑电平信号直接驱动。其导通电阻(Rds(on))在10V Vgs、375mA漏极电流(Id)条件下典型值为8欧姆，这一特性有助于在开关状态下降低导通损耗，提升整体能效。

在接口与关键参数方面，ZVP2110A提供了稳健的操作窗口。其连续漏极电流(Id)在环境温度(Ta)下额定值为230mA，足以驱动众多中小功率负载。器件的栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为3.5V（在1mA测试条件下），这明确了其开启的门槛，便于电路设计中的电平匹配。其输入电容(Ciss)最大值为100pF（在25V Vds条件下），较小的栅极电荷需求意味着更快的开关速度和更低的驱动功率损耗。此外，器件支持高达±20V的栅源电压，提供了较强的抗栅极噪声干扰能力。其工作结温范围宽广，从-55°C延伸至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。标准的TO-92-3直插封装形式，兼顾了成本效益与通孔安装的便利性，总功耗能力为700mW。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的DIODES代理获取正品器件与技术支持。

基于其电压、电流能力及封装特性，ZVP2110A非常适合应用于多种对成本敏感且要求可靠性的场景。在电源管理领域，它常被用于AC-DC适配器、离线式开关电源中的辅助电源开关或启动电路。在工业控制与消费电子中，它可用于继电器替代、小型直流电机驱动、螺线管控制以及LED调光电路。其逻辑电平驱动的特性也使其成为单片机I/O口直接驱动负载的理想选择，广泛应用于智能家居模块、安防设备及各类自动化控制板的负载开关电路中。

• 型号:ZVP2110A
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-92
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 100V 230MA TO92-3
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):230mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 欧姆 @ 375mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:100 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:700mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-92
• 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
• 现在可以订购ZVP2110A，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。