ZVP2110ASTOA

Diodes Incorporated推出的ZVP2110ASTOA是一款采用P沟道增强型MOSFET技术的功率半导体器件。其核心架构基于成熟的平面MOS工艺，在硅衬底上构建了稳定的金属氧化物半导体结构，实现了电压控制型场效应晶体管的开关与放大功能。该器件采用经典的E-Line（TO-92兼容）通孔封装，具有良好的散热性能和机械强度，便于在传统PCB板上进行手工或波峰焊接，适合对成本和生产工艺有特定要求的应用环境。

在电气特性方面，ZVP2110ASTOA具备100V的漏源击穿电压(Vdss)，这为其在离线式电源适配器、家用电器辅助电源等存在电压尖峰的应用中提供了可靠的安全裕量。其连续漏极电流(Id)在环境温度(Ta)下额定为230mA，足以驱动中小功率的负载，如继电器线圈、小型电机或LED灯组。该MOSFET的一个关键优势在于其较低的栅极驱动需求，最大栅源阈值电压(Vgs(th))仅为3.5V @ 1mA，这意味着它能够被标准的3.3V或5V逻辑电平（在10V驱动电压下）轻松且高效地驱动，简化了前级控制电路的设计，无需额外的电平转换器件。

器件的动态与静态参数平衡得当。在10V栅极驱动下，其导通电阻(RdsOn)最大值为8欧姆 @ 375mA，确保了在导通状态下的功耗处于较低水平。同时，其输入电容(Ciss)在25V漏源电压下最大值为100pF，较小的栅极电荷有助于实现快速的开关切换，减少开关损耗，提升系统整体效率。该器件的工作结温范围宽达-55°C至150°C，并支持高达±20V的栅源电压，展现了良好的鲁棒性和环境适应性。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES中国代理获取完整的产品资料、样品以及采购服务。

基于其参数特性，ZVP2110ASTOA非常适合应用于需要P沟道MOSFET作为高端开关或负载开关的场合。典型应用包括低功耗AC-DC开关电源中的启动电路或待机电路、电池供电设备中的电源路径管理和反向电流保护、以及各类工业控制板或消费电子中的信号切换与低侧驱动。其通孔封装形式也使其在对可靠性要求极高、或需要进行后期维修与改装的通信设备、测试仪器及工业控制模块中占有一席之地。

• 型号:ZVP2110ASTOA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 100V 230MA E-LINE
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):230mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 欧姆 @ 375mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:100 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:700mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 封装/外壳:E-Line-3
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