ZVP2110ASTOB

ZVP2110ASTOB是Diodes Incorporated推出的一款采用E-Line（TO-92兼容）通孔封装的P沟道增强型MOSFET。该器件基于成熟的平面MOSFET技术构建，其核心是一个P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管结构。这种结构通过在栅极施加相对于源极为负的电压来形成导电沟道，从而控制源极和漏极之间的电流。其设计重点在于在中等电压和电流水平下实现可靠的开关控制与信号调理功能。

该MOSFET的关键电气特性使其在特定应用中表现出色。其漏源击穿电压（Vdss）高达100V，提供了良好的电压裕度，增强了系统在电压波动下的可靠性。在25°C环境温度下，其连续漏极电流（Id）额定值为230mA，适用于中小功率的开关或放大电路。其导通电阻（Rds(On)）在Vgs为-10V、Id为-375mA的条件下典型值较低，这有助于减少导通状态下的功率损耗，提升能效。此外，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为-3.5V（在Id=-1mA时测量），并且驱动电压（Vgs）范围为±20V，这为栅极驱动电路的设计提供了明确的参考和足够的灵活性。

在动态与静态参数方面，DIODES中国代理提供的资料显示，ZVP2110ASTOB在Vds为25V时的输入电容（Ciss）最大值为100pF，较低的输入电容有助于实现更快的开关速度并降低栅极驱动电路的负担。器件的最大功率耗散为700mW（Ta），结合其宽泛的结温工作范围（-55°C至150°C），确保了其在各种环境条件下的稳定运行和长期耐用性。其经典的TO-92兼容封装形式，便于在原型设计或需要通孔焊接的场合进行手工或波峰焊安装。

综合其100V的耐压能力、230mA的电流处理水平以及优化的开关特性，ZVP2110ASTOB非常适合于一系列中压、小电流的电子应用。典型的应用场景包括低侧开关、负载开关、电源管理电路中的隔离或切换功能，以及模拟信号路径中的开关或调制。它也常被用于工业控制、消费电子、汽车电子（非核心动力域）等领域的辅助电路、接口保护或电平转换模块中，为系统提供高效、可靠的功率控制解决方案。

• 型号:ZVP2110ASTOB
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 100V 230MA E-LINE
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):230mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 欧姆 @ 375mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:100 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:700mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 封装/外壳:E-Line-3
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