ZVP3310A

ZVP3310A是Diodes Incorporated推出的一款采用P沟道增强型MOSFET技术的单晶体管。该器件基于成熟的平面MOS工艺制造，其核心架构旨在实现高压下的稳定控制与高效开关。其栅极采用二氧化硅作为绝缘层，确保了良好的输入隔离特性，同时优化的沟道设计在保证100V漏源击穿电压(Vdss)的前提下，有效控制了器件的导通电阻与寄生电容。

在功能表现上，该MOSFET在10V栅源驱动电压下，能够提供低至20欧姆的典型导通电阻（Rds(On)），这对于一个高压P沟道器件而言，意味着较低的导通损耗。其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为3.5V，确保了与标准逻辑电平（如5V CMOS或TTL）的良好兼容性，便于直接驱动或通过简单电路进行接口。此外，其输入电容(Ciss)典型值仅为50pF，较小的栅极电荷需求有助于实现快速的开关切换，减少开关过程中的功率损耗，提升系统在高频应用下的效率。

该器件采用经典的TO-92-3通孔封装，便于在原型设计或小批量生产中进行手工焊接与测试。140mA的连续漏极电流(Id)能力与625mW的功率耗散上限，使其非常适合用于中小功率的负载切换或信号控制电路。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）赋予了产品出色的环境适应性，能够在工业控制、消费电子等多种苛刻条件下稳定运行。对于需要可靠高压侧开关或信号反转的应用，DIODES授权代理可提供完整的技术支持与供应链服务。

综合其电气参数，ZVP3310A主要面向需要高压、低功耗开关功能的场景。典型应用包括电池供电设备中的电源路径管理、便携式仪器仪表的负载开关、通信模块的功率控制，以及作为模拟开关或电平转换器中的关键组件。其高耐压特性也使其适用于一些离线式电源的启动电路或辅助电源的切换。凭借其平衡的性能、可靠的封装和具有竞争力的成本，这款MOSFET为工程师在高压P沟道解决方案上提供了一个简洁而高效的选择。

• 型号:ZVP3310A
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-92
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 100V 140MA TO92-3
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):140mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20 欧姆 @ 150mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:625mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-92
• 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
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