ZVP3310ASTZ

ZVP3310ASTZ是Diodes Incorporated推出的一款采用经典E-Line（TO-92兼容）通孔封装的P沟道增强型MOSFET。其核心架构基于成熟的平面MOSFET技术，通过优化的半导体工艺，在紧凑的封装内实现了对栅极电压的精确控制，从而有效管理负载的导通与关断。该器件设计用于在较低的栅极驱动电压下工作，简化了外围驱动电路的设计。

这款MOSFET具备100V的漏源击穿电压（Vdss）和140mA的连续漏极电流（Id）能力，为低功率开关应用提供了可靠的电压与电流裕量。其栅源阈值电压（Vgs(th)）最大值为3.5V，意味着在较低的驱动电压下即可开启，兼容常见的逻辑电平信号。在10V的栅源驱动电压（Vgs）和150mA的漏极电流条件下，其导通电阻（Rds(on)）典型值仅为20欧姆，有助于降低导通状态下的功率损耗。此外，其输入电容（Ciss）最大值仅为50pF，较小的栅极电荷需求使得开关速度较快，动态性能良好。

在电气参数方面，DIODES芯片代理提供的资料显示，ZVP3310ASTZ的栅源电压可承受±20V的范围，提供了较强的抗栅极过压能力。其最大功耗为625mW，结合宽泛的结温工作范围（-55°C至150°C），确保了器件在苛刻环境下的稳定性和耐用性。通孔式的E-Line封装不仅便于手工焊接和原型制作，也具有良好的散热特性。

基于其参数特性，ZVP3310ASTZ非常适合应用于需要P沟道MOSFET作为高侧开关或负载开关的场合。典型应用包括低功率电源管理电路、信号切换、电池供电设备中的保护电路，以及作为其他逻辑器件的驱动接口。其耐压和电流能力使其在工业控制、消费电子及通信模块的辅助电源路径管理中也能发挥作用，尤其适合那些对成本敏感且需要高可靠性的设计。

• 型号:ZVP3310ASTZ
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 100V 140MA E-LINE
• 系列:-
• 包装:带盒（TB）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):140mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20 欧姆 @ 150mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:625mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 封装/外壳:E-Line-3
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