ZVP4525GTC

作为一款由Diodes Incorporated（美台半导体）设计生产的功率器件，ZVP4525GTC是一款采用P沟道增强型MOSFET技术的单晶体管。其核心架构基于成熟的平面MOSFET工艺，在硅衬底上构建了优化的沟道与栅极结构，以实现对高电压的有效控制。该器件采用表面贴装的SOT-223封装，在紧凑的物理尺寸内实现了良好的散热性能与电气隔离，其结温工作范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。

该MOSFET的关键电气性能体现在其250V的高漏源击穿电压(Vdss)上，这使其能够从容应对离线式电源、功率因数校正等场合中常见的电压应力。在导通特性方面，当栅源电压(Vgs)为10V时，其导通电阻(Rds(on))典型值较低，在200mA的漏极电流下最大为14欧姆，这有助于减少导通状态下的功率损耗。其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为2V，结合最大3.5V（最小RdsOn）和10V（最大RdsOn）的驱动电压范围，表明它能够与多种逻辑电平（包括部分微控制器直接输出）兼容，简化了驱动电路设计。此外，其栅极电荷(Qg)最大值仅为3.45nC，输入电容(Ciss)最大值为73pF，这些低栅极参数共同决定了极低的开关损耗和快速的开关速度，对于提升系统效率至关重要。

在接口与参数层面，DIODES芯片代理提供的技术资料显示，ZVP4525GTC在25°C环境温度下的连续漏极电流(Id)额定值为265mA，最大功耗为2W。其栅源电压可承受±40V的极限值，提供了较高的栅极驱动安全裕度。这些参数共同定义了一个高效、可靠的开关界面，工程师可以依据这些规格进行精确的电路设计和热管理。

基于其高压、低栅极电荷和逻辑电平驱动的特点，ZVP4525GTC非常适用于需要高压侧开关或负载切换的应用场景。典型应用包括离线式开关电源(SMPS)中的启动电路、辅助电源的切换、电子镇流器，以及工业控制、消费类电子产品中的高压小电流开关功能。其SOT-223封装也适合对PCB空间有要求的紧凑型设计。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计范例和参数特性对于理解同类高压P-MOSFET的应用仍具有重要参考价值。

• 型号:ZVP4525GTC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 250V 265MA SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:250 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):265mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:3.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:14 欧姆 @ 200mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3.45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±40V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:73 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
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