ZXM61N02FTC

Diodes Incorporated推出的ZXM61N02FTC是一款采用先进平面MOSFET技术制造的N沟道增强型功率场效应晶体管。其核心设计基于成熟的金属氧化物半导体结构，在紧凑的SOT-23-3封装内实现了优异的电气性能与热性能平衡。该器件采用表面贴装形式，便于自动化生产，其内部架构经过优化，旨在提供低导通损耗和高开关效率，是空间受限且对效率有要求的现代电子应用的理想选择。

该MOSFET具备20V的漏源击穿电压(Vdss)和在25°C环境温度下高达1.7A的连续漏极电流(Id)能力。其关键优势在于极低的导通电阻，在驱动电压(Vgs)为4.5V、漏极电流(Id)为930mA的条件下，Rds(On)最大值仅为180毫欧。这一特性显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了整体能效。同时，其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为700mV，且驱动电压范围宽至2.7V至4.5V，使其能够与常见的3.3V或5V逻辑电平直接兼容，简化了驱动电路设计。

在动态特性方面，ZXM61N02FTC表现出色。其栅极总电荷(Qg)在Vgs=4.5V时最大值仅为3.4nC，输入电容(Ciss)在Vds=15V时最大值为160pF。这些低电荷和电容参数共同确保了快速的开关切换速度，减少了开关过程中的损耗，特别适用于高频开关应用。器件的栅源电压可承受±12V，提供了良好的栅极保护余量。其结温工作范围宽广，从-55°C到150°C，确保了在严苛环境下的可靠运行，最大功耗为625mW。

凭借其紧凑的封装、优异的电气参数和稳健的性能，这款MOSFET非常适合用于各类负载开关、电源管理模块、DC-DC转换器中的同步整流或功率路径控制，以及便携式设备、电池供电产品和消费电子中的电机驱动等场景。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES芯片代理获取该产品及相关设计资源。

• 型号:ZXM61N02FTC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.7A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.7V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:180 毫欧 @ 930mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:700mV @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3.4 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:160 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:625mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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