ZXM61N03FTC

ZXM61N03FTC是一款由Diodes Incorporated（美台半导体）设计生产的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET工艺制造。该器件采用紧凑的SOT-23-3表面贴装封装，其核心设计旨在实现低导通电阻与高开关效率的平衡。其内部架构优化了栅极控制与电流通路，使得在较低的栅极驱动电压下即可实现充分的沟道导通，这得益于其最大阈值电压Vgs(th)仅为1V @ 250A的设计，降低了驱动电路的复杂性。

该MOSFET的关键电气性能表现突出。其最大漏源电压（Vdss）为30V，在25°C环境温度下连续漏极电流（Id）额定值为1.4A，适用于中低功率的开关与控制应用。其导通电阻（Rds(On)）在Vgs=10V、Id=910mA的条件下最大值为220毫欧，这一低阻抗特性有效降低了导通状态下的功率损耗和温升。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为4.1nC @ 10V，输入电容（Ciss）最大值为150pF @ 25V，这些参数共同决定了其快速的开关响应速度和较低的驱动损耗，有利于提升系统整体能效和频率性能。

在接口与参数方面，ZXM61N03FTC的栅极驱动电压范围宽泛，标准驱动电压为4.5V和10V，且栅源电压（Vgs）可承受±20V的最大值，提供了良好的鲁棒性。其最大功耗为625mW（Ta），工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。对于需要稳定供应链的客户，可以通过官方DIODES授权代理获取原厂技术支持与供货保障。

基于其性能组合，ZXM61N03FTC非常适合空间受限且要求高效率的应用场景。典型应用包括便携式设备的负载开关、DC-DC转换器中的同步整流或功率开关、电机驱动控制电路、电池管理系统的保护开关，以及各类消费电子和工业控制模块中的功率分配单元。其SOT-23-3封装形式非常适合高密度PCB布局，是设计师在平衡性能、成本与板面积时的优选器件之一。

• 型号:ZXM61N03FTC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:220 毫欧 @ 910mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:150 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:625mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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