ZXM61P02FTA

ZXM61P02FTA是Diodes Incorporated推出的一款采用先进MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术的P沟道功率器件，其核心架构基于优化的沟槽工艺，旨在实现低导通电阻与快速开关特性的平衡。该器件采用紧凑的SOT-23-3表面贴装封装，内部集成了高性能的栅极控制结构和低损耗的体二极管，为设计工程师提供了一个在有限空间内实现高效功率控制的可靠解决方案。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其最大漏源电压（Vdss）为20V，适用于常见的低压电源轨。在25°C环境温度下，连续漏极电流（Id）可达900mA，能够满足中等电流负载的开关需求。其导通性能尤为出色，在Vgs为4.5V、Id为610mA的条件下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至600毫欧，这直接降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统整体效率。同时，其栅极驱动要求宽松，栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为1.5V，且在2.7V至4.5V的驱动电压下即可实现良好的导通，使其与3.3V或5V逻辑电平的微控制器能够直接兼容，简化了驱动电路设计。

在动态参数方面，DIODES一级代理提供的技术资料显示，ZXM61P02FTA在Vgs为4.5V时的栅极总电荷（Qg）最大值仅为3.5nC，结合最大150pF的输入电容（Ciss），共同决定了其极低的开关损耗和优秀的开关速度，这对于高频PWM（脉冲宽度调制）应用至关重要。器件的栅源电压（Vgs）可承受±12V，提供了较强的抗栅极电压尖峰能力。其结温（TJ）工作范围宽达-55°C至150°C，并能在表面贴装条件下耗散最高625mW的功率，确保了在严苛环境下的稳定运行。

基于其低电压、低导通电阻、逻辑电平驱动以及快速开关的特性，ZXM61P02FTA非常适合于空间受限的便携式电子设备、电池供电系统以及需要高效功率管理的场景。典型应用包括负载开关、电源路径管理、电机驱动中的H桥下管、DC-DC转换器中的同步整流或高端开关，以及各种需要P沟道MOSFET来实现电路简化的低侧驱动方案。

• 型号:ZXM61P02FTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 900MA SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):900mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.7V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:600 毫欧 @ 610mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3.5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:150 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:625mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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