ZXM64N02XTA

ZXM64N02XTA是一款由Diodes Incorporated设计生产的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET工艺技术制造。该器件集成了高性能的硅基MOSFET单元，其核心架构旨在实现低导通电阻与快速开关特性的平衡。其栅极结构经过优化，确保了在较低的栅极驱动电压下即可实现完全导通，这对于降低驱动电路的复杂度和功耗至关重要。得益于紧凑的单元设计和制造工艺，该MOSFET在提供可观电流处理能力的同时，保持了较小的芯片面积，最终封装于节省空间的8引脚MSOP封装内，非常适合高密度PCB布局。

该MOSFET的关键电气性能表现突出。其最大漏源电压(Vdss)为20V，适用于常见的12V及以下低压系统。在25°C环境温度下，连续漏极电流(Id)额定值高达5.4A，具备较强的负载驱动能力。其导通电阻(Rds(on))特性尤为出色，在Vgs=4.5V、Id=3.8A的条件下，典型值仅为40毫欧，这意味着在导通状态下的功率损耗极低，有助于提升系统整体效率。此外，其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值仅为700mV，而驱动电压范围在2.7V至4.5V之间即可获得优异的导通性能，使其能够轻松兼容3.3V和5V逻辑电平，简化了与微控制器或数字逻辑电路的接口设计。

在动态参数方面，ZXM64N02XTA展现了良好的开关特性。在Vgs=4.5V时，栅极总电荷(Qg)最大值仅为16nC，结合1100pF的最大输入电容(Ciss)，共同决定了其具有较快的开关速度，能够有效降低开关过程中的交叠损耗，适用于需要较高频率操作的场合。器件的栅源电压耐受范围为±12V，为驱动设计提供了充足的裕量。其工作结温范围宽广，从-55°C到150°C，确保了在苛刻环境下的可靠运行。对于需要稳定供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES代理获取该产品的相关资源与支持。

基于其性能参数，ZXM64N02XTA主要面向空间受限且对效率有要求的低压、大电流开关应用。典型应用场景包括直流-直流转换器中的同步整流或负载开关、电机驱动电路中的H桥功率级、电池供电设备中的电源管理模块（如负载开关或电池保护电路），以及便携式设备中的功率分配单元。其表面贴装的8-MSOP封装符合现代自动化生产要求，是工程师在追求小型化、高效率设计时的可靠选择。

• 型号:ZXM64N02XTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-MSOP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 5.4A 8MSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.7V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:40 毫欧 @ 3.8A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:700mV @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1100 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-MSOP
• 封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118\\
• 现在可以订购ZXM64N02XTA，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。