ZXM64N02XTC

作为一款由Diodes Incorporated设计生产的N沟道功率MOSFET，ZXM64N02XTC采用了先进的MOSFET（金属氧化物）技术，其核心架构旨在实现高效率的功率开关控制。该器件采用紧凑的8-MSOP表面贴装封装，在有限的PCB空间内集成了高性能的功率处理能力，其设计重点在于优化导通电阻与栅极电荷之间的平衡，从而在开关应用中减少传导损耗和开关损耗，提升整体系统能效。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其漏源击穿电压(Vdss)为20V，适用于常见的低压电源轨。在25°C环境温度下，连续漏极电流(Id)额定值高达5.4A，展现出较强的电流承载能力。其导通电阻表现优异，在Vgs为4.5V、Id为3.8A的条件下，Rds(on)最大值仅为40毫欧，这直接降低了器件在导通状态下的功率损耗和温升。此外，其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为700mV，且驱动电压范围宽泛，在2.7V至4.5V的栅极电压下即可实现良好的导通特性，使其能够兼容3.3V和5V的逻辑电平控制，简化了驱动电路设计。

在动态参数方面，在Vgs=4.5V时的栅极总电荷(Qg)最大值为16nC，结合在Vds=15V时的输入电容(Ciss)最大值为1100pF，这些特性共同决定了其快速的开关速度，有利于在高频开关电源、电机驱动等应用中提升频率响应并降低开关噪声。器件的栅源电压可承受±12V的最大值，提供了可靠的栅极保护余量。其结温工作范围宽广，从-55°C到150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。尽管该产品目前已处于停产状态，但通过可靠的DIODES一级代理渠道，仍可获取库存以满足特定项目或现有设计的维护需求。

基于其参数特性，ZXM64N02XTC非常适合于空间受限且对效率有要求的低压、大电流开关应用。典型应用场景包括DC-DC转换器中的同步整流或负载开关、便携式设备中的电源管理模块、电机驱动电路中的H桥或半桥下管，以及电池保护电路和负载点(POL)转换器。其表面贴装形式和紧凑封装使其成为现代高密度电子设计的理想选择之一。

• 型号:ZXM64N02XTC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-MSOP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 5.4A 8MSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.7V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:40 毫欧 @ 3.8A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:700mV @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1100 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-MSOP
• 封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118\\
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