ZXM64N035GTA

Diodes Incorporated推出的ZXM64N035GTA是一款采用N沟道增强型MOSFET技术的功率开关器件。其核心架构基于先进的平面MOSFET工艺，在紧凑的SOT-223封装内实现了优异的电气性能平衡。该器件设计用于在低至4.5V的栅极驱动电压下即可高效开启，其栅极阈值电压典型值较低，确保了与微控制器及低压逻辑电路的直接兼容性，简化了驱动电路设计。

该MOSFET的功能特点突出体现在其低导通电阻与快速开关特性的结合上。在10V Vgs条件下，其导通电阻（Rds(on)）典型值仅为50毫欧，这直接降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统整体能效。同时，其最大栅极电荷（Qg）为27nC，输入电容（Ciss）也得到良好控制，这有助于实现快速的开关转换，减少开关损耗，特别适用于高频PWM应用场景。其35V的漏源击穿电压（Vdss）提供了足够的电压裕量，而连续漏极电流在壳温（Tc）条件下可达6.7A，赋予了其处理可观电流的能力。

在接口与关键参数方面，ZXM64N035GTA采用标准的表面贴装SOT-223封装，具有良好的散热能力和PCB空间利用率。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，适应严苛的环境要求。栅源电压（Vgs）最大额定值为±20V，提供了较强的栅极抗过压能力。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的DIODES代理商获取该产品的技术资料与库存信息。其2W（Ta）的功率耗散能力，结合封装的热特性，允许其在许多应用中无需额外的散热片。

基于其性能参数，该器件非常适合用于需要高效功率切换的中等电流应用。典型应用场景包括DC-DC转换器中的同步整流或负载开关、电机驱动控制电路、电池管理系统（BMS）中的保护开关，以及各类消费电子和工业设备中的电源分配单元。其平衡的导通损耗与开关损耗特性，使其成为对效率和空间均有要求的紧凑型电源设计的理想选择之一。

• 型号:ZXM64N035GTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 35V 4.8A/6.7A SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:35 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.8A（Ta），6.7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:50 毫欧 @ 3.7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:27 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:950 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
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