ZXM64N03XTA

作为一款由Diodes Incorporated（美台半导体）设计生产的功率MOSFET，ZXM64N03XTA采用了先进的N沟道MOSFET技术，其核心架构基于金属氧化物半导体场效应晶体管原理，旨在实现高效率的功率开关控制。该器件采用紧凑的8-MSOP表面贴装封装，在有限的PCB空间内集成了高性能的功率处理能力，其设计重点在于优化导通电阻与栅极电荷之间的平衡，从而在开关应用中降低传导与开关损耗。

该MOSFET具备30V的漏源击穿电压(Vdss)与在25°C环境温度下5A的连续漏极电流(Id)承载能力，适用于中低电压、中等电流的应用环境。其导通电阻表现突出，在10V栅源电压(Vgs)和3.7A漏极电流条件下，最大导通电阻(Rds(on))仅为45毫欧，这直接转化为更低的通态压降和功率损耗，提升了系统的整体能效。栅极驱动特性方面，其阈值电压(Vgs(th))最大值为1V，而驱动电压范围在4.5V至10V时即可实现优异的Rds(on)性能，兼容常见的逻辑电平与微控制器接口，简化了驱动电路设计。

在动态参数上，在10V Vgs下的最大栅极电荷(Qg)为27nC，结合25V Vds下的最大输入电容(Ciss)为950pF，这些参数共同决定了器件具有较快的开关速度，有助于减少开关过渡时间并降低高频应用中的开关损耗。其栅源电压可承受±20V的最大值，提供了良好的栅极可靠性。器件的功率耗散能力为1.1W（Ta），并支持宽泛的工作结温范围，从-55°C到150°C，确保了其在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的DIODES代理商获取相关的技术资料与采购信息。

综合其电气特性与封装形式，ZXM64N03XTA非常适合应用于需要高效功率转换与管理的场景。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流或负载开关、电机驱动控制电路、电池保护与管理系统，以及各类便携式电子设备中的电源分配单元。其紧凑的MSOP封装尤其适合空间受限的现代消费电子和工业控制模块设计，尽管该产品目前已处于停产状态，但其技术规格仍为同类替代品的选择提供了重要参考基准。

• 型号:ZXM64N03XTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-MSOP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 5A 8MSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:45 毫欧 @ 3.7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:27 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:950 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-MSOP
• 封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118\\
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