ZXM64N03XTC

ZXM64N03XTC是Diodes Incorporated推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术制造，集成于紧凑的8-MSOP封装内。该器件基于成熟的硅基工艺，其核心架构旨在实现低导通电阻与快速开关特性的平衡，内部通过优化单元结构和沟道设计，有效降低了栅极电荷和寄生电容，为高效率的功率控制奠定了基础。

该MOSFET具备多项关键电气特性，其30V的漏源击穿电压（Vdss）与5A的连续漏极电流（Id）能力，使其能够稳健地工作在中等电压和电流的应用环境中。其导通电阻表现突出，在10V栅源驱动电压（Vgs）下，Rds(on)典型值低至45毫欧（@3.7A），这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为1V，配合最大仅27nC的栅极总电荷（Qg），意味着器件易于驱动且开关速度快，有助于减少开关损耗并简化驱动电路设计。

在接口与参数方面，器件支持±20V的栅源电压范围，提供了较强的栅极驱动鲁棒性。其输入电容（Ciss）在25V漏源电压下最大为950pF，结合其热特性最大结温（Tj）可达150°C，在环境温度（Ta）下最大功耗为1.1W，确保了在表面贴装应用中的可靠热性能。对于需要稳定供应链的客户，可以通过正规的DIODES代理商获取相关技术支持和库存信息。需要注意的是，该产品目前已处于停产状态，在新设计选型时应予以考虑。

凭借其性能组合，ZXM64N03XTC非常适用于空间受限且对效率有要求的DC-DC转换器、电机驱动控制、负载开关以及电池管理电路等场景。例如，在同步整流拓扑或低压大电流的电源模块中，其低Rds(on)特性能够显著提升整体能效；在便携式设备的功率路径管理中，其快速开关和小封装优势得以充分发挥。

• 型号:ZXM64N03XTC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-MSOP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 5A 8MSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:45 毫欧 @ 3.7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:27 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:950 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-MSOP
• 封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118\\
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