ZXM64P02XTC

作为一款由Diodes Incorporated（美台半导体）推出的P沟道功率MOSFET，ZXM64P02XTC采用了先进的MOSFET（金属氧化物）半导体技术，其核心架构旨在实现高效率的功率开关控制。该器件基于紧凑的8-MSOP表面贴装封装，集成了优化的沟道设计，能够在较低的栅极驱动电压下实现快速导通与关断，从而有效降低开关损耗并提升系统整体能效。

该器件具备多项突出的电气特性。其漏源电压（Vdss）额定值为20V，并在25°C环境温度下支持高达3.5A的连续漏极电流（Id），为负载开关和功率路径管理提供了坚实的电流处理能力。其导通电阻表现优异，在4.5V栅源电压（Vgs）和2.4A漏极电流条件下，Rds(On)最大值仅为90毫欧，这直接转化为更低的导通压降和功率耗散，最大功率耗散为1.1W（Ta）。此外，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为700mV，且驱动电压范围宽（最大RdsOn对应2.7V，最小对应4.5V），使其与低电压逻辑电路（如3.3V或5V微控制器）能够轻松兼容，简化了驱动电路设计。

在动态参数方面，ZXM64P02XTC在4.5V Vgs下的栅极电荷（Qg）最大值仅为6.9nC，同时在15V Vds下的输入电容（Ciss）最大值为900pF。这些低电荷与电容特性共同作用，显著减少了开关过程中的充放电时间，有利于实现高频开关操作并进一步降低驱动损耗。其栅源电压可承受±12V的最大值，提供了良好的可靠性余量。器件的工作结温范围宽广，为-55°C至150°C，确保了其在严苛工业环境下的稳定运行。

凭借其20V/3.5A的额定值、低导通电阻、低栅极电荷以及与逻辑电平兼容的驱动特性，ZXM64P02XTC非常适用于需要高效、紧凑型P沟道开关解决方案的场合。典型应用包括便携式设备的负载开关、电源管理单元（PMU）中的功率路径选择、电池供电系统的反向极性保护，以及DC-DC转换器中的同步整流或高端开关。对于需要可靠供应链支持的批量项目，建议通过官方授权的DIODES一级代理进行采购，以获取正品保障与全面的技术支持。需要注意的是，该产品目前已处于停产状态，在新设计中选择时需考虑替代方案或库存情况。

• 型号:ZXM64P02XTC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-MSOP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 3.5A 8MSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.7V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:90 毫欧 @ 2.4A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:700mV @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.9 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:900 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-MSOP
• 封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118\\
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