ZXM64P03XTC

ZXM64P03XTC是Diodes Incorporated推出的一款采用先进MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术的P沟道功率器件。该器件采用紧凑的8-MSOP表面贴装封装，其核心架构基于成熟的平面MOSFET工艺，实现了在有限空间内对电流和电压的高效控制。其设计重点在于优化导通电阻与栅极电荷之间的平衡，这对于提升开关电源和负载开关应用的效率至关重要。

该器件具备多项关键电气特性。其最大漏源电压（Vdss）为30V，在25°C环境温度下可支持高达3.8A的连续漏极电流，为中等功率应用提供了可靠的电流处理能力。其导通电阻表现突出，在10V栅源驱动电压和2.4A漏极电流条件下，典型值仅为75毫欧，这直接降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统整体能效。栅极驱动特性方面，其阈值电压（Vgs(th)）最大值为1V，且标准驱动电压范围在4.5V至10V之间，使其能够兼容广泛的逻辑电平（如3.3V、5V）进行直接驱动，简化了外围电路设计。

在动态性能参数上，在10V Vgs条件下，其最大栅极电荷（Qg）为46nC，最大输入电容（Ciss）为825pF。这些较低的开关相关参数有助于实现快速的开关转换，减少开关损耗，特别适用于需要高频操作的场景。器件的工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了其在严苛环境下的稳定性和可靠性。其最大功耗为1.1W，设计时需结合散热条件进行考量。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过DIODES中国代理获取相关的技术支持和供货信息。

综合其电气规格与封装形式，ZXM64P03XTC非常适合应用于空间受限且对效率有要求的场合。典型应用包括DC-DC转换器中的负载开关、电源管理单元（PMU）的功率路径控制、电池供电设备的反向极性保护，以及电机驱动、LED照明等系统中的功率开关。其P沟道特性使得在高端开关配置中无需额外的电荷泵或自举电路，进一步简化了系统设计，是工程师在构建紧凑、高效电子系统时的一个有力选择。

• 型号:ZXM64P03XTC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-MSOP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 3.8A 8MSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:75 毫欧 @ 2.4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:46 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:825 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-MSOP
• 封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118\\
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