ZXMN10A07ZTA

ZXMN10A07ZTA是Diodes Incorporated推出的一款采用先进平面MOSFET工艺制造的N沟道增强型功率场效应晶体管。其核心架构基于成熟的硅基技术，通过优化的单元设计和制造工艺，在紧凑的封装内实现了优异的电气性能平衡。该器件采用标准的三引脚配置，内部集成了低栅极电荷的栅极结构和低导通电阻的电流通路，确保了高效的开关控制和功率处理能力。

该MOSFET具备100V的漏源击穿电压(Vdss)和1A的连续漏极电流(Id)额定值，为中小功率应用提供了可靠的电压和电流裕量。其导通电阻(Rds(on))在10V栅源驱动电压(Vgs)和1.5A漏极电流条件下，典型值仅为700毫欧，这直接降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统整体效率。栅极驱动特性方面，其最大栅极阈值电压(Vgs(th))为4V，而栅极电荷(Qg)在10V Vgs下最大仅为2.9nC，结合最大±20V的栅源电压耐受能力，意味着它易于驱动，能够实现快速开关，并兼容多种逻辑电平控制电路，同时具备良好的抗栅极过压能力。

在接口与参数层面，ZXMN10A07ZTA采用表面贴装型SOT-89-3封装，具有良好的散热性能和PCB空间利用率。其输入电容(Ciss)在50V Vds下最大为138pF，较小的寄生电容有助于进一步减少开关损耗。器件在环境温度(Ta)下的最大功耗为1.5W，结温(TJ)工作范围宽达-55°C至150°C，确保了其在苛刻环境下的稳定性和可靠性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的DIODES代理获取正品器件和技术支持。

凭借其平衡的性能参数，该器件非常适合应用于需要高效功率切换和控制的领域。典型的应用场景包括DC-DC转换器中的同步整流或负载开关、低压电机驱动控制、电池管理系统(BMS)中的保护电路、LED照明驱动以及各类便携式设备中的电源管理模块。其紧凑的封装和良好的热特性也使其成为空间受限的嵌入式系统的理想选择。

• 型号:ZXMN10A07ZTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-89-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 1A SOT89-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:700 毫欧 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:2.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:138 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.5W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-89-3
• 封装/外壳:TO-243AA
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