ZXMN10A08DN8TA

在功率管理与开关应用领域，ZXMN10A08DN8TA是一款由Diodes Incorporated推出的高性能双N沟道MOSFET阵列。该器件采用先进的平面MOSFET技术，将两个独立的增强型N沟道MOSFET集成于单一紧凑的8-SOIC封装内。其核心架构旨在实现低导通损耗与快速开关特性的平衡，内部通过优化的单元设计降低了寄生电容，同时保持了稳健的100V漏源击穿电压能力，为需要高电压处理与空间效率的设计提供了可靠的半导体解决方案。

该MOSFET的功能特性突出表现在其逻辑电平门驱动能力上。其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为2V，这意味着它能够与3.3V或5V的现代微控制器及逻辑电路直接兼容，无需额外的电平转换或复杂的驱动电路，极大地简化了系统设计。在导通性能方面，在10V Vgs条件下，导通电阻(Rds(on))典型值低至250毫欧（@ 3.2A），这有效降低了导通状态下的功率损耗，提升了整体能效。此外，其栅极电荷(Qg)最大值仅为7.7nC，输入电容(Ciss)最大值为405pF，这些低电荷特性共同确保了快速的开关瞬态响应，减少了开关损耗，特别适用于高频PWM控制场景。

在电气参数与物理接口上，DIODES代理提供的技术资料显示，每个通道在25°C环境温度下可支持高达1.6A的连续漏极电流，总功耗最大值为1.25W。器件采用标准的表面贴装8-SOIC封装，宽度为3.90mm，便于自动化生产并节省PCB空间。其宽泛的工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛工业环境或消费类产品高负载运行下的长期可靠性。

基于其双通道、高耐压、低导通电阻及逻辑电平驱动的综合优势，ZXMN10A08DN8TA非常适合应用于多路负载切换、电机驱动H桥电路中的同步整流、DC-DC转换器中的负载开关以及电池管理系统的保护电路。在需要紧凑布局的电源模块、便携式设备、工业自动化控制板及LED驱动器中，它都能作为高效的功率开关元件，提供稳定而可靠的性能。

• 型号:ZXMN10A08DN8TA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:100V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.6A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:250 毫欧 @ 3.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.7nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:405pF @ 50V
• 功率 - 最大值:1.25W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
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