ZXMN10A08E6TC

ZXMN10A08E6TC是一款由Diodes Incorporated（美台半导体）设计制造的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术。该器件采用紧凑的SOT-26表面贴装封装，其核心架构旨在实现高电压与低导通电阻之间的出色平衡。其栅极结构经过优化，能够提供高效的电荷控制，从而在开关应用中实现快速响应和低损耗。

该器件具备100V的漏源击穿电压(Vdss)，为设计提供了充足的电压裕量，增强了系统的可靠性。在导通特性方面，其导通电阻(Rds(on))在Vgs=10V、Id=3.2A的条件下典型值仅为250毫欧，这一低阻值特性直接转化为更低的传导损耗和更高的整体效率。其栅极驱动要求适中，栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为4V，而栅极电荷(Qg)在10V时最大仅为7.7nC，这意味着驱动电路可以设计得更为简单，同时实现快速的开关速度，有助于降低开关损耗。

在接口与参数方面，DIODES代理商提供的技术资料显示，ZXMN10A08E6TC在25°C环境温度下可连续通过1.5A的漏极电流(Id)，最大允许栅源电压(Vgs)为±20V，提供了安全的驱动范围。其输入电容(Ciss)在50V条件下最大为405pF，结合低栅极电荷，共同确保了优秀的动态性能。器件的最大功耗为1.1W，工作结温范围宽达-55°C至150°C，使其能够适应苛刻的环境条件。

凭借其高耐压、低导通电阻和快速开关能力，ZXMN10A08E6TC非常适合应用于需要高效功率转换和控制的领域。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流或主开关、电机驱动电路、负载开关以及各类低功率逆变器和电源管理模块。其SOT-26封装尺寸极小，特别有利于空间受限的便携式设备、消费电子及工业控制板卡的设计，是实现高功率密度解决方案的理想选择。

• 型号:ZXMN10A08E6TC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:250 毫欧 @ 3.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:405 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-26
• 封装/外壳:SOT-23-6
• 现在可以订购ZXMN10A08E6TC，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。