ZXMN10A25GTA

ZXMN10A25GTA是Diodes Incorporated推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术制造。该器件基于成熟的金属氧化物半导体场效应晶体管架构，其核心在于通过精密的半导体工艺，在硅衬底上形成栅极、源极和漏极结构，以实现对电流的高效开关控制。其设计重点在于优化了单元密度与导通电阻之间的平衡，从而在紧凑的封装内实现了优异的电气性能。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其漏源击穿电压(Vdss)高达100V，确保了在高压应用中的可靠性与安全性。在10V栅极驱动电压下，其导通电阻(Rds(on))典型值仅为125毫欧（在2.9A， 25°C条件下），这一低导通电阻特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极总电荷(Qg)最大值仅为17nC，结合适中的输入电容，使得开关速度快，开关损耗低，特别适合高频开关应用。器件允许的栅源电压(Vgs)范围为±20V，提供了较强的栅极驱动鲁棒性。

在接口与参数方面，ZXMN10A25GTA采用标准的SOT-223表面贴装封装，这种封装形式在提供良好散热能力的同时，也兼顾了PCB空间利用率。其连续漏极电流(Id)在25°C环境温度下额定值为2.9A，最大功耗为2W。器件的阈值电压(Vgs(th))最大值为4V，确保了与常见逻辑电平或微控制器IO口的良好兼容性。其宽泛的工作结温范围覆盖-55°C至150°C，使其能够适应工业、汽车及消费电子等多种环境要求。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES代理渠道进行采购与咨询。

凭借其高压、低导通电阻和快速开关的特性，这款MOSFET非常适合用于需要高效功率转换和管理的场景。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流或主开关、电机驱动电路中的H桥或半桥拓扑、电池保护板中的负载开关，以及LED驱动、电源适配器和低压逆变器等。其稳健的性能和紧凑的封装使其成为空间受限且对效率有要求的现代电子设计的理想选择。

• 型号:ZXMN10A25GTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.9A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:125 毫欧 @ 2.9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:859 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
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