ZXMN2A03E6TA

ZXMN2A03E6TA是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺制造的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用紧凑的SOT-23-6封装，在极小的占板面积内实现了优异的电气性能平衡。其核心架构优化了单元密度与导通电阻的关系，确保了在低栅极驱动电压下也能获得极低的导通损耗，这对于提升系统整体效率至关重要。

该MOSFET的显著特性在于其卓越的低导通电阻（Rds(on)）与低栅极电荷（Qg）的出色结合。在4.5V的Vgs驱动下，其最大导通电阻仅为55毫欧（@7.2A），这意味着在3.7A的连续漏极电流下，器件的传导损耗被控制在极低水平。同时，其最大栅极电荷低至8.2nC（@4.5V），显著降低了开关过程中的驱动损耗，使得高频开关应用成为可能。这种低Qg特性配合仅700mV（最大值，@250A）的低阈值电压，使其能够被微控制器或低电压逻辑电路轻松、高效地驱动。

在电气接口与参数方面，ZXMN2A03E6TA具备20V的漏源击穿电压（Vdss），为常见的5V、12V总线应用提供了充足的安全裕量。其栅源电压（Vgs）最大额定值为±12V，增强了抗栅极过压冲击的能力。器件的输入电容（Ciss）典型值较低，有助于减少驱动电路的电流需求。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，并采用表面贴装形式，非常适合自动化生产。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的DIODES代理商获取该产品，确保原厂正品与技术支持。

基于其高性能与小型化封装，ZXMN2A03E6TA非常适合空间受限且对效率有高要求的应用场景。它常被用于负载开关、电源管理模块中的DC-DC同步整流下管，以及电机驱动、电池保护电路中的功率控制开关。在便携式设备、物联网模块、消费电子及工业控制系统中，该器件能够有效降低功耗、减小方案尺寸，是实现高功率密度设计的理想选择。

• 型号:ZXMN2A03E6TA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 3.7A SOT23-6
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.7A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:55 毫欧 @ 7.2A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:700mV @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.2 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:837 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-6
• 封装/外壳:SOT-23-6
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