ZXMN2F34FHTA

ZXMN2F34FHTA是一款由Diodes Incorporated（美台半导体）设计制造的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术，旨在提供卓越的功率转换效率和开关性能。该器件基于成熟的金属氧化物半导体场效应晶体管架构，其核心设计聚焦于在紧凑的封装内实现低导通电阻与高电流处理能力的平衡，这对于现代高密度电子设备中的电源管理和负载开关应用至关重要。

该MOSFET的显著特性在于其极低的导通电阻，在4.5V栅极驱动电压和2.5A漏极电流条件下，典型值仅为60毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其低阈值电压（Vgs(th)最大1.5V）和优化的栅极电荷（Qg最大2.8nC）使其能够与低电压逻辑电平（如2.5V或3.3V）的微控制器或驱动芯片直接兼容，简化了驱动电路设计并提升了开关速度。其20V的漏源击穿电压（Vdss）和3.4A的连续漏极电流能力，为低压DC-DC转换、电机控制及电池保护电路提供了可靠的性能裕量。

在电气参数方面，ZXMN2F34FHTA展现了全面的稳健性。其栅源电压（Vgs）可承受±12V，增强了抗栅极过压冲击的能力。输入电容（Ciss）在10V条件下最大为277pF，结合低栅极电荷，共同确保了快速的开关瞬态响应，有助于减少开关损耗。器件采用标准的SOT-23-3表面贴装封装，占板面积小，适合自动化贴装生产，其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的DIODES代理商获取该产品及相关技术支持。

凭借其综合性能，ZXMN2F34FHTA非常适合应用于空间受限且对效率要求高的场景。典型应用包括便携式设备（如智能手机、平板电脑）中的负载开关和电源路径管理，低压DC-DC同步整流转换器中的下管或上管，以及小型有刷直流电机驱动、LED调光驱动等。其高性价比和可靠的性能使其成为工程师在20V以下低压、中电流应用中的优选功率开关解决方案。

• 型号:ZXMN2F34FHTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:60 毫欧 @ 2.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:2.8 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:277 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:950mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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