ZXMN3A01FTA

作为一款采用先进MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术的功率开关器件，ZXMN3A01FTA的核心架构基于N沟道设计，其内部结构优化了载流子迁移路径，以实现低导通损耗和高开关效率。该器件在紧凑的SOT-23-3封装内集成了高性能的硅基功率单元，通过精密的制造工艺确保了电气特性的一致性与可靠性，为空间受限的现代电子设计提供了高效的解决方案。

在功能表现上，该器件具备30V的漏源击穿电压(Vdss)和在25°C环境温度下高达1.8A的连续漏极电流(Id)能力，使其能够稳健地处理中等功率负载。其导通电阻表现尤为突出，在10V栅源驱动电压(Vgs)和2.5A漏极电流条件下，最大值仅为120毫欧，这直接转化为更低的导通压降和功率损耗，提升了系统整体能效。此外，其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值低至1V，配合最大仅3.9nC的栅极电荷(Qg)，意味着它能够被微控制器或低电压逻辑电路轻松、快速地驱动，从而实现高效的开关控制并减少开关过程中的能量损失。

在接口与关键参数方面，ZXMN3A01FTA支持宽范围的栅源电压(Vgs)，最大值为±20V，增强了应用的灵活性。其输入电容(Ciss)在25V漏源电压下最大值为190pF，较小的电容值有助于进一步降低驱动电路的负担并提升高频开关性能。器件采用表面贴装型封装，工作结温范围宽达-55°C至150°C，最大功耗为625mW，这些特性共同确保了其在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链的客户，可以通过授权的DIODES代理商获取原厂正品和技术支持。

基于其平衡的性能参数与紧凑的封装，ZXMN3A01FTA非常适合应用于对空间和效率有严格要求的场景。典型应用包括便携式设备的负载开关、电源管理单元中的DC-DC转换器同步整流、电机驱动控制电路以及电池保护模块。其快速开关特性和低导通电阻也使其成为LED驱动、低功率适配器和各种消费电子产品中功率路径管理的理想选择。

• 型号:ZXMN3A01FTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:120 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:190 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:625mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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