ZXMN3A01FTC

ZXMN3A01FTC是Diodes Incorporated推出的一款采用先进平面MOSFET工艺制造的N沟道增强型功率场效应晶体管。其核心架构基于成熟的硅基技术，通过优化的单元设计和制造工艺，在紧凑的封装内实现了优异的电气性能平衡。该器件采用标准的三引脚SOT-23-3表面贴装封装，为空间受限的现代电子设计提供了高集成度的解决方案。

该MOSFET具备30V的漏源击穿电压(Vdss)和1.8A的连续漏极电流(Id)能力，使其能够稳定工作在多种低压电源环境中。其导通特性尤为突出，在10V栅源驱动电压(Vgs)下，导通电阻(Rds(on))典型值低至120毫欧，这直接降低了导通状态下的功率损耗，提升了整体能效。同时，其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为1V，并兼容高达±20V的栅源电压，提供了宽裕且安全的驱动窗口，便于与各类逻辑电平（如3.3V或5V）的微控制器或驱动IC直接接口，简化了外围电路设计。

在动态性能方面，DIODES一级代理提供的技术资料显示，ZXMN3A01FTC的栅极电荷(Qg)在10V条件下最大仅为3.9nC，输入电容(Ciss)在25V下最大为190pF。这些低电荷和电容参数共同决定了其快速的开关速度，有助于减少开关损耗，特别适用于需要高频操作的场合。器件的最大功耗为625mW，结温工作范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠性与稳定性。

凭借其低导通电阻、快速开关能力、宽工作温度范围以及极小的SOT-23封装，ZXMN3A01FTC非常适合应用于对空间和效率有严格要求的领域。其典型应用场景包括便携式设备的负载开关、DC-DC转换器中的同步整流或功率开关、电机驱动控制电路、电池管理系统的保护模块，以及各类消费电子和工业控制板卡中的信号切换与功率分配单元。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计理念和性能参数仍为后续型号的开发与选型提供了重要参考。

• 型号:ZXMN3A01FTC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:120 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:190 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:625mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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