ZXMN3A14FQTA

作为一款符合AEC-Q101标准的车规级N沟道MOSFET，ZXMN3A14FQTA采用了先进的MOSFET（金属氧化物）技术，其核心架构旨在实现高效率与高可靠性的平衡。该器件在紧凑的SOT-23-3封装内集成了优化的沟道设计，确保了在宽温度范围内的稳定性能，其结温工作范围覆盖-55°C至150°C，能够满足严苛的汽车电子环境要求。

该MOSFET的功能特点突出体现在其优异的开关性能与导通特性上。它具备30V的漏源电压（Vdss）和3.9A的连续漏极电流（Id）能力，为中小功率开关应用提供了充足的余量。其关键优势在于极低的导通电阻，在10V栅极驱动电压（Vgs）和3.2A电流条件下，Rds(On)最大值仅为65毫欧，这直接降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统整体能效。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.2V，并与低至8.6nC的栅极电荷（Qg）相结合，使得器件能够被快速驱动，优化了开关速度并减少了驱动电路的负担。

在接口与参数方面，ZXMN3A14FQTA提供了易于设计的电气特性。其栅极支持高达±20V的电压，增强了抗干扰能力。输入电容（Ciss）在15V Vds下最大值为448pF，与低栅极电荷共同确保了简洁高效的栅极驱动设计。器件采用表面贴装型封装，便于自动化生产，最大功率耗散为1.5W。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES一级代理获取该产品及相关服务。

基于其稳健的性能参数，该MOSFET非常适合多种应用场景。在汽车电子领域，常用于车身控制模块（BCM）中的负载开关、电机驱动（如车窗、雨刷）以及LED照明驱动。在工业控制和消费电子中，它则是电源管理、DC-DC转换器中的同步整流或负载开关的理想选择，其小尺寸和高效率特性尤其符合便携式设备与紧凑型设计的需求。

• 型号:ZXMN3A14FQTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.9A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:65 毫欧 @ 3.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:448 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.5W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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