ZXMN3F30FHTA

ZXMN3F30FHTA是一款采用先进平面MOSFET技术制造的N沟道增强型功率场效应晶体管。其核心架构基于优化的单元设计，在紧凑的封装内实现了优异的导通电阻与栅极电荷平衡，这直接关系到开关效率与热性能。该器件采用标准的表面贴装工艺，确保了在现代自动化生产线上的高可靠性与一致性。

在电气特性方面，该MOSFET展现出卓越的性能。30V的漏源击穿电压（Vdss）使其适用于广泛的低压电源环境，而在25°C环境温度下高达3.8A的连续漏极电流（Id）则赋予了其驱动中小功率负载的能力。其导通电阻（Rds(on)）是关键指标，在10V栅源驱动电压（Vgs）和3.2A漏极电流条件下，最大值仅为47毫欧，这意味着在导通状态下的功率损耗极低，有助于提升系统整体能效并减少发热。

该器件的栅极驱动特性经过精心优化。最大栅源阈值电压（Vgs(th)）为3V，与常见的3.3V和5V逻辑电平兼容性良好，便于由微控制器或逻辑电路直接驱动，简化了外围设计。同时，在10V Vgs下的最大栅极电荷（Qg）仅为7.7nC，结合318pF的输入电容（Ciss），共同决定了其快速的开关速度，能够有效降低开关损耗，尤其适合高频PWM应用。其栅源电压耐受范围达到±20V，提供了充足的驱动安全裕度。对于需要可靠供应链的客户，可以通过DIODES授权代理获取正品保障和技术支持。

得益于其SOT-23-3的超小型封装和高达150°C的结温（Tj）工作范围，ZXMN3F30FHTA非常适合空间受限且对热管理有要求的应用场景。其主要应用领域包括DC-DC转换器中的同步整流或负载开关、电机驱动控制电路、电池供电设备的电源管理模块，以及LED驱动和便携式电子产品中的功率路径控制。其950mW的功率耗散能力在合理的PCB散热设计下，能够满足多数紧凑型设计的散热需求。

• 型号:ZXMN3F30FHTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:47 毫欧 @ 3.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:318 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:950mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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