ZXMN6A09KTC

Diodes Incorporated推出的ZXMN6A09KTC是一款采用N沟道增强型MOSFET技术的功率半导体器件，其核心架构基于成熟的平面MOSFET工艺。该器件采用TO-252-3（DPAK）表面贴装封装，在紧凑的物理尺寸内实现了功率密度与散热效率的平衡。其内部结构优化了电流通路，旨在降低导通损耗并提升开关性能，为中等功率应用提供了一个可靠的基础开关单元。

该MOSFET的关键性能体现在其60V的漏源击穿电压（Vdss）与7.7A的连续漏极电流（Id）能力上，这使其能够稳健地工作在多种电源转换和电机控制环境中。其导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压（Vgs）和7.3A电流条件下典型值仅为40毫欧，这一低导通阻抗特性直接转化为更低的通态损耗和更高的整体效率。此外，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为3V，并与4.5V至10V的标准逻辑电平驱动电压范围良好兼容，便于由微控制器或逻辑电路直接驱动，简化了系统设计。

在动态参数方面，ZXMN6A09KTC在10V Vgs下的栅极总电荷（Qg）最大值为29nC，结合1426pF的输入电容（Ciss），表明其具有较快的开关速度潜力，有助于降低高频开关应用中的开关损耗。其栅源电压可承受±20V的最大值，提供了较强的抗栅极噪声能力。器件的结温（Tj）工作范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠性。对于需要本地技术支持和稳定供货渠道的设计者，可以联系专业的DIODES中国代理获取详细的产品资料和设计协助。

凭借其电压、电流能力和快速开关特性，这款MOSFET非常适合应用于DC-DC转换器、电机驱动、电池保护电路以及负载开关等场景。例如，在24V或48V系统的电源模块中，它可作为同步整流或主开关管；在电动工具、风扇等有刷直流电机驱动中，它能有效承担PWM调速控制任务。尽管该产品已处于停产状态，但其设计参数和性能表现仍为理解同类替代产品的选型提供了有价值的参考基准。

• 型号:ZXMN6A09KTC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 7.7A TO252-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.7A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:40 毫欧 @ 7.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1426 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.15W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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