ZXMN6A11GTC

ZXMN6A11GTC是Diodes Incorporated推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术制造。该器件采用紧凑的SOT-223表面贴装封装，在硅片层面实现了功率密度与电气性能的优化平衡。其核心架构基于成熟的MOSFET设计理念，通过精细的沟道设计和栅极氧化层工艺，确保了在较宽的电压和温度范围内稳定可靠的开关与导通特性。

该MOSFET具备60V的漏源击穿电压(Vdss)和3.1A的连续漏极电流(Id)能力，为中等功率应用提供了坚实的电压与电流裕量。其导通电阻表现突出，在10V栅源驱动电压(Vgs)和2.5A漏极电流条件下，Rds(on)最大值仅为120毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。器件的栅极驱动特性经过优化，阈值电压Vgs(th)最大值为1V，且最大栅极电荷(Qg)仅为5.7nC，这意味着它能够被微控制器或逻辑电平信号轻松、快速地驱动，有助于简化驱动电路设计并降低开关损耗。

在接口与参数方面，ZXMN6A11GTC支持±20V的最大栅源电压，提供了较强的栅极可靠性。其输入电容(Ciss)在40V漏源电压下最大值为330pF，结合较低的Qg，共同保证了快速的开关瞬态响应。器件的额定功率耗散为2W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于要求严苛的工业环境。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的DIODES代理渠道获取该产品的技术支持和供货信息。

凭借其性能组合，ZXMN6A11GTC非常适合用于需要高效功率切换和控制的场景。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流或负载开关、电机驱动电路中的H桥或半桥低侧开关、以及电池管理系统的负载保护与切换。其SOT-223封装在提供良好散热能力的同时，也节省了宝贵的PCB空间，使其成为空间受限的便携式设备、消费电子及工业控制模块中功率管理部分的理想选择。

• 型号:ZXMN6A11GTC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.1A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:120 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:330 pF @ 40 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
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