ZXMN6A25G

ZXMN6A25G是Diodes Incorporated推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术制造，封装于紧凑的SOT-223表面贴装器件中。其核心架构基于成熟的硅基工艺，通过优化的单元设计和制造流程，在单位面积内实现了较低的导通电阻与良好的开关特性平衡。该器件内部集成了快速恢复体二极管，为感性负载开关应用提供了必要的续流路径，增强了系统的可靠性。

在电气性能方面，该MOSFET展现出多项关键特性。其漏源击穿电压(Vdss)高达60V，使其能够稳定工作在多种中压电源环境中。在25°C环境温度下，其连续漏极电流(Id)额定值为4.8A，表明其具备处理适中功率的能力。尤为突出的是其低导通电阻特性，在Vgs=10V、Id=3.6A的条件下，Rds(on)最大值仅为50毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为1V @ 250A，且标准驱动电压范围为4.5V至10V，这意味着它能够与常见的3.3V或5V逻辑电平控制器良好兼容，简化了驱动电路设计。

该器件的动态参数同样经过优化。在Vgs=10V时，最大栅极总电荷(Qg)为20.4nC，结合其输入电容(Ciss)等参数，共同决定了较快的开关速度，有助于降低开关过程中的功率损耗。其栅源电压可承受±20V的最大值，提供了较强的抗栅极噪声干扰能力。器件的功率耗散能力在环境温度(Ta)下为2W，结合其SOT-223封装良好的热性能，能够有效管理工作中产生的热量。其结温工作范围宽达-55°C至150°C，确保了在苛刻环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的DIODES代理商获取该产品的技术支持和供货信息。

基于其60V/4.8A的额定值与SOT-223的封装形式，ZXMN6A25G非常适用于空间受限且要求高效率的DC-DC转换器中的同步整流或主开关、电机驱动控制、电池保护电路以及各类负载开关应用。其平衡的性能参数使其成为众多消费电子、工业控制和汽车辅助系统中功率管理部分的常见选择。

• 型号:ZXMN6A25G
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 4.8A SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:50 毫欧 @ 3.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1063 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
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