ZXMN6A25K

ZXMN6A25K是Diodes Incorporated推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术制造，封装于TO-252-3（DPAK）表面贴装封装中，为空间受限的功率开关应用提供了高效的解决方案。其核心架构基于成熟的硅基工艺，优化了单元密度与导通电阻的平衡，确保了在紧凑的芯片面积内实现较低的功率损耗和较高的电流处理能力。

该器件在10V栅极驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至50毫欧，这一特性显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统整体效率。高达60V的漏源击穿电压（Vdss）为其提供了宽裕的工作电压裕量，增强了在负载突降或开关瞬态等复杂工况下的可靠性。同时，7A的连续漏极电流（Id）能力使其能够胜任中等功率等级的开关或线性调节任务。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为3V，与标准逻辑电平兼容，便于由微控制器或逻辑电路直接驱动，简化了外围设计。

在动态特性方面，DIODES一级代理提供的技术资料显示，ZXMN6A25K在10V Vgs下的总栅极电荷（Qg）最大值为20.4nC，结合1063pF的输入电容（Ciss），表明其具有较快的开关速度，有助于降低高频开关应用中的开关损耗。器件允许的栅源电压（Vgs）范围为±20V，提供了较强的抗栅极噪声干扰能力。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，能够适应严苛的环境温度要求，而2.11W（Ta）的功率耗散能力则需要在实际应用中配合适当的散热设计以确保性能。

凭借其高电压、低导通电阻和良好的开关特性，ZXMN6A25K非常适用于需要高效功率管理的场景。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流或主开关、电机驱动控制电路、电池保护板中的负载开关，以及LED驱动和低压工业电源系统。其TO-252-3封装兼顾了功率处理能力与PCB占板面积，是工程师在性能与成本之间进行平衡时的可靠选择之一。

• 型号:ZXMN6A25K
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 7A TO252-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:50 毫欧 @ 3.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1063 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.11W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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