ZXMN7A11KTC

Diodes Incorporated推出的ZXMN7A11KTC是一款采用先进平面MOSFET技术的N沟道增强型功率场效应晶体管。该器件基于成熟的金属氧化物半导体结构，其设计旨在实现高效率的功率开关与控制。其核心优势在于在紧凑的封装内实现了低导通电阻与高开关速度的平衡，这得益于优化的芯片布局与制造工艺，有效降低了传导损耗和开关损耗，为系统能效提升提供了硬件基础。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其70V的漏源击穿电压（Vdss）提供了宽裕的工作电压余量，增强了系统在瞬态电压下的可靠性。在10V栅极驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）典型值低至130毫欧（@4.4A），这意味着在4.2A的连续漏极电流下，器件产生的导通压降和热损耗极低。同时，其极低的栅极阈值电压（Vgs(th)最大1V）和较小的栅极总电荷（Qg最大7.4nC）使其能够被微控制器或逻辑电平信号轻松、快速地驱动，简化了驱动电路设计并提升了开关频率潜力。其输入电容（Ciss）也维持在较低水平，进一步减少了驱动电路的负担。

在接口与封装方面，ZXMN7A11KTC采用行业标准的TO-252-3（DPAK）表面贴装封装，具有良好的散热性能和PCB空间利用率。其栅极允许的电压范围为±20V，为驱动设计提供了灵活性。器件结温工作范围宽达-55°C至150°C，并能在环境温度下耗散约2.11W的功率，确保了在苛刻环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的DIODES芯片代理获取此型号及完整的技术支持。

凭借其综合性能，该器件非常适合应用于对效率和空间均有要求的现代电子系统中。典型应用场景包括DC-DC转换器中的同步整流或主开关、电机驱动电路（如风扇、小型泵）、负载开关以及电池管理系统。其快速开关特性也使其适用于需要PWM控制的功率调节场合，是工程师实现紧凑、高效电源解决方案的优选元件之一。

• 型号:ZXMN7A11KTC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 70V 4.2A TO252-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:70 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:130 毫欧 @ 4.4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:298 pF @ 40 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.11W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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