ZXMP10A13FTA

ZXMP10A13FTA是一款由Diodes Incorporated设计生产的P沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的平面MOSFET技术构建，其核心是一个优化的垂直沟道结构，旨在实现低导通电阻与高击穿电压的良好平衡。这种架构确保了在紧凑的封装内，电荷载流子能够高效传输，从而在开关应用中实现快速的导通与关断速度，同时将传导损耗降至最低。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其漏源击穿电压(Vdss)高达100V，为电路提供了宽裕的电压裕量，增强了系统在电压波动或瞬态条件下的可靠性。在10V驱动电压(Vgs)下，其导通电阻(Rds(on))典型值仅为1欧姆（在600mA条件下），这意味着在导通状态下能够有效降低功率损耗，提升整体能效。此外，其栅极电荷(Qg)最大值低至3.5nC，结合141pF的输入电容，显著降低了驱动电路的负担，使得开关切换更为迅速，特别适合高频开关应用。对于需要稳定供应的客户，可以通过DIODES授权代理获取原装正品和技术支持。

在接口与参数方面，ZXMP10A13FTA采用标准的SOT-23-3表面贴装封装，体积小巧，便于在空间受限的PCB板上进行高密度布局。其连续漏极电流(Id)在环境温度25°C下可达600mA，足以驱动多种中小功率负载。器件的栅源驱动电压范围宽泛，最大可承受±20V，增强了设计的灵活性。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛工业环境或宽温应用中的稳定运行，最大功耗为625mW。

基于其高耐压、低导通电阻和快速开关的特性，ZXMP10A13FTA非常适合应用于需要高效电源管理的领域。典型应用包括DC-DC转换器中的负载开关、电源反接保护电路、电池供电设备的功率路径管理，以及电机驱动、LED照明驱动等系统中的低侧开关。其紧凑的封装也使其成为便携式电子设备、物联网模块和各类消费电子产品中实现高效、小型化电源解决方案的理想选择。

• 型号:ZXMP10A13FTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 100V 600MA SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):600mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1 欧姆 @ 600mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:141 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:625mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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