ZXMP10A17E6QTA

Diodes Incorporated推出的ZXMP10A17E6QTA是一款采用先进MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术的P沟道功率器件。其核心架构基于优化的沟槽工艺，旨在实现低导通电阻与高开关效率的平衡。该器件采用紧凑的SOT-26封装，在有限的占板面积内集成了高性能的功率开关功能，其设计着重于提升功率密度和热管理能力，结温工作范围覆盖-55°C至150°C，确保了在苛刻环境下的稳定运行。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其最大漏源电压（Vdss）高达100V，为离线式电源、电机控制等应用提供了充足的电压裕量。在10V驱动电压（Vgs）下，其导通电阻（Rds(on)）典型值低至350毫欧（在1.4A条件下测量），这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为10.7nC（@10V），输入电容（Ciss）也得到有效控制，这有助于降低开关过程中的驱动损耗，实现更快的开关速度，并简化了栅极驱动电路的设计。

在接口与参数方面，ZXMP10A17E6QTA在25°C环境温度下可支持连续1.3A的漏极电流，最大功耗为1.1W。其栅源电压（Vgs）耐受范围为±20V，提供了较强的抗干扰能力。器件的阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V（@250A），属于标准逻辑电平兼容范围，便于由微控制器或逻辑电路直接驱动，减少了外围元件需求。其表面贴装（SMT）的SOT-26封装符合现代自动化生产要求，工程师在选型时可通过正规的DIODES代理商获取完整的技术支持和供货保障。

凭借其高耐压、低导通电阻和快速开关特性，ZXMP10A17E6QTA非常适合于需要高效功率切换和管理的应用场景。典型应用包括直流-直流（DC-DC）转换器中的负载开关、电源反接保护电路、低侧或高侧开关配置，以及电池供电设备、便携式电子产品、工业控制系统中的电机驱动和功率分配模块。其稳健的性能使其成为空间受限且对能效和可靠性有较高要求的设计中的理想选择。

• 型号:ZXMP10A17E6QTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.3A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:350 毫欧 @ 1.4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:424 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-26
• 封装/外壳:SOT-23-6
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