ZXMP10A17GQTC

ZXMP10A17GQTC是一款来自Diodes Incorporated的P沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物）技术制造。该器件采用紧凑的SOT-223表面贴装封装，专为在严苛环境下要求高可靠性和稳定性的应用而设计。其核心架构优化了沟道设计，在提供高达100V漏源电压（Vdss）耐受能力的同时，实现了较低的导通电阻与栅极电荷，这有助于提升开关效率并降低导通损耗。

该器件在25°C环境温度下可支持1.7A的连续漏极电流，最大功耗为2W。其导通电阻（Rds(On)）在Vgs为6V、Id为1.2A的条件下典型值仅为450毫欧，确保了在负载切换过程中拥有较低的电压降和功率损耗。栅极驱动特性方面，其阈值电压Vgs(th)最大值为4V，而栅极电荷Qg在10V驱动下最大仅为10.7nC，结合±20V的最大栅源电压容限，使得该MOSFET易于驱动，并能实现快速的开关切换，有助于减少开关损耗并简化驱动电路设计。输入电容Ciss在50V条件下最大为424pF，进一步印证了其良好的高频响应特性。

在接口与参数层面，ZXMP10A17GQTC严格遵循AEC-Q101标准，属于汽车级产品系列，其工作结温范围宽达-55°C至150°C，能够适应汽车电子、工业控制等场景中常见的温度波动与振动环境。其稳健的电气参数，如100V的耐压和优化的动态特性，使其成为电源管理、电机驱动、负载开关及DC-DC转换器中理想的高侧开关或互补对称电路的下管选择。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的DIODES代理商获取该产品，以确保原厂正品和技术支持。

其应用场景广泛覆盖了汽车辅助系统（如LED照明驱动、传感器供电模块）、便携式设备中的电源路径管理，以及工业自动化设备中的低功率电机控制或继电器替代。凭借其高耐压、低导通电阻、快速开关能力以及车规级可靠性，ZXMP10A17GQTC为设计工程师提供了一个在空间受限且对效率和鲁棒性有高要求的应用中，实现高效功率控制的紧凑型解决方案。

• 型号:ZXMP10A17GQTC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 100V 1.7A SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.7A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:450 毫欧 @ 1.2A，6V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:424 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
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