ZXMP10A17GTA

ZXMP10A17GTA是Diodes Incorporated推出的一款采用先进MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术的P沟道功率器件。该器件采用成熟的表面贴装SOT-223封装，专为需要高效功率切换和紧凑空间布局的应用而设计。其核心架构基于P沟道技术，这意味着栅极相对于源极为负电压时导通，为某些特定的电源路径管理和负载开关拓扑提供了设计便利性，例如可以直接用于高侧开关而无需额外的电荷泵或电平转换电路。

该MOSFET的关键电气性能使其在中等功率应用中表现出色。它具备100V的漏源击穿电压(Vdss)，提供了良好的电压裕量，增强了系统在电压瞬变情况下的可靠性。在25°C环境温度下，其连续漏极电流(Id)额定值为1.7A，能够处理可观的负载电流。衡量导通损耗的核心参数导通电阻(Rds(on))，在典型工作条件下（Vgs=-10V， Id=1.4A）最大值为350毫欧，较低的导通电阻有助于减少导通状态下的功率损耗，提升整体能效。此外，其栅极电荷(Qg)最大值仅为10.7nC @ 10V，较低的栅极电荷意味着更快的开关速度和更低的栅极驱动损耗，有利于高频开关应用。

在接口与参数方面，ZXMP10A17GTA的阈值电压(Vgs(th))最大值为4V @ 250A，这为栅极驱动电路的设计提供了明确的参考。其输入电容(Ciss)在50V漏源电压下最大值为424pF，是评估开关动态特性的重要参数。用户可通过正规的DIODES授权代理获取完整的数据手册以进行精确的电路设计和热仿真。需要注意的是，此型号目前已处于停产状态，在为新设计选型时应考虑其替代产品或咨询制造商以获取最新的产品生命周期信息。

基于其100V的耐压和1.7A的电流能力，ZXMP10A17GTA非常适用于多种直流电源管理场景。典型的应用包括低压工业电源系统中的负载开关、电池供电设备的电源路径隔离与保护、DC-DC转换器中的同步整流或开关元件，以及各类需要P沟道MOSFET实现简单高侧开关的消费电子和通信模块。其SOT-223封装在功率处理能力和PCB占板面积之间取得了良好平衡，适合空间受限的现代电子设备。

• 型号:ZXMP10A17GTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 100V 1.7A SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.7A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:350 毫欧 @ 1.4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:424 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
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