ZXMP2120G4TA

ZXMP2120G4TA是Diodes Incorporated推出的一款高压P沟道功率MOSFET，采用成熟的平面MOSFET技术制造。该器件基于优化的单元结构设计，在紧凑的封装内实现了高耐压与低导通电阻的良好平衡，其核心架构旨在为高压侧开关应用提供稳定可靠的性能基础。其栅极氧化层经过特别处理，确保了在宽温度范围内的阈值电压稳定性，并有效控制了栅极电荷，有利于提升开关效率。

该MOSFET具备200V的漏源击穿电压(Vdss)和200mA的连续漏极电流(Id)能力，使其能够从容应对中等功率的高压环境。其导通电阻(Rds(on))在10V驱动电压、150mA电流条件下典型值仅为25欧姆，这一特性有助于降低导通状态下的功率损耗，提升整体能效。器件支持高达±20V的栅源电压(Vgs)，提供了较强的栅极驱动容限，而最大3.5V的栅极阈值电压(Vgs(th))则使其能够与多种逻辑电平或微控制器直接兼容，简化了驱动电路设计。

在接口与参数方面，ZXMP2120G4TA采用表面贴装型SOT-223封装，这种封装在提供良好散热能力（最大功耗2W）的同时，保持了较小的PCB占板面积。其输入电容(Ciss)在25V条件下最大为100pF，较低的栅极电荷有助于实现快速的开关切换，减少开关损耗。器件的工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了其在工业级严苛环境下的可靠运行。对于需要稳定供应链的客户，可以通过专业的DIODES芯片代理获取该产品及相关技术支持。

凭借其高压、低导通电阻和良好的开关特性，ZXMP2120G4TA非常适用于需要高压侧P沟道开关的各类场景。典型应用包括离线式电源的启动电路、电池供电设备中的负载开关、工业控制系统的继电器或电磁阀驱动，以及LED照明驱动电路中的功率路径管理。其SOT-223封装也使其成为空间受限但要求一定散热能力的消费电子和通信模块中高压开关的理想选择。

• 型号:ZXMP2120G4TA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 200V 200MA SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 欧姆 @ 150mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:100 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
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