ZXMP3A13FTA

ZXMP3A13FTA是Diodes Incorporated推出的一款采用先进MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术的P沟道功率器件。该器件采用紧凑的SOT-23-3表面贴装封装，其核心架构针对低电压、高效率的开关应用进行了优化。其30V的漏源电压（Vdss）额定值与1.4A的连续漏极电流（Id）能力相结合，为设计提供了稳健的电压和电流裕量，确保在多种工作条件下的可靠性。

该器件的关键性能体现在其优异的导通特性上。在10V的栅源驱动电压（Vgs）下，其导通电阻（Rds(On)）最大值仅为210毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为1V，配合最大4.5V的驱动电压（以获得最小RdsOn），使其能够轻松被3.3V或5V的逻辑电平信号直接驱动，简化了前级驱动电路的设计。低至6.4nC的栅极电荷（Qg）和206pF的输入电容（Ciss）进一步减少了开关过程中的能量损失，提升了高频开关性能，这对于需要快速切换的电源管理和负载开关应用至关重要。

在接口与参数方面，该器件提供了宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C结温），确保了其在严苛环境下的稳定运行。其最大功率耗散为625mW，封装热性能良好。栅源电压（Vgs）可承受±20V的最大值，增强了其抗电压尖峰的能力。对于寻求稳定供货和技术支持的客户，通过正规的DIODES一级代理进行采购是保障项目顺利进行的重要环节。

基于上述特性，ZXMP3A13FTA非常适合应用于空间受限且对效率有高要求的场景。其主要应用方向包括便携式设备的电源负载开关、电池供电系统的功率路径管理、DC-DC转换器中的同步整流或高端开关，以及电机驱动、LED照明等领域的低侧驱动或开关控制。其SOT-23-3封装与出色的电气参数使其成为替换同类P沟道MOSFET，以提升系统功率密度和能效的理想选择。

• 型号:ZXMP3A13FTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 1.4A SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:210 毫欧 @ 1.4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:206 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:625mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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