ZXMP3A16GTA

Diodes Incorporated推出的ZXMP3A16GTA是一款采用先进MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术的P沟道功率器件。其核心架构基于优化的沟槽工艺，旨在实现低导通电阻与高开关效率的平衡。该器件采用紧凑的SOT-223表面贴装封装，在有限的PCB空间内提供了出色的热性能和功率处理能力，其结温工作范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。

该MOSFET具备30V的漏源击穿电压(Vdss)和在25°C环境温度下高达5.4A的连续漏极电流(Id)能力。其关键性能优势体现在极低的导通损耗上，当栅源电压(Vgs)为10V时，导通电阻(Rds(On))最大值仅为45毫欧（测试条件为Id=4.2A）。这一特性对于提升系统整体效率、减少发热至关重要。同时，其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为1V，配合最大±20V的栅源电压耐受范围，提供了良好的栅极驱动安全裕度和与低压逻辑电路的兼容性。

在动态特性方面，ZXMP3A16GTA在Vgs=10V条件下的栅极总电荷(Qg)最大值为29.6nC，结合1022pF（@15V）的最大输入电容(Ciss)，共同决定了其快速的开关转换速度，有助于降低高频应用中的开关损耗。其最大功率耗散为2W（Ta），用户可通过DIODES代理获取详细的热设计指导，以充分发挥器件性能。这些接口与参数特性使其非常适合需要高效率电源管理的场景。

基于其性能组合，该器件广泛应用于消费电子、计算机周边及便携式设备的电源管理电路中。典型应用包括负载开关、电池保护电路、DC-DC转换器中的同步整流或高端功率开关。其P沟道设计简化了高端驱动的电路复杂度，无需额外的电荷泵或自举电路，特别适合在空间受限的系统中实现电源路径的智能控制与高效切换。

• 型号:ZXMP3A16GTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 5.4A SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:45 毫欧 @ 4.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1022 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• 现在可以订购ZXMP3A16GTA，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。