ZXMP3F30FHTA

ZXMP3F30FHTA是一款由Diodes Incorporated设计制造的P沟道增强型功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术制造。该器件采用紧凑的SOT-23封装，在极小的占板面积内实现了优异的电气性能，其核心设计旨在提供高效的功率开关解决方案。其结构优化了沟道电阻与栅极电荷的平衡，确保了在开关应用中既能实现较低的导通损耗，又能维持较快的开关速度，这对于提升系统整体效率至关重要。

该器件具备30V的漏源击穿电压(Vdss)和2.8A的连续漏极电流(Id)能力，为低压电源管理和负载开关应用提供了充足的裕量。其导通电阻(Rds(on))在Vgs=10V、Id=2.5A的条件下典型值仅为80毫欧，这一低导通阻抗特性直接转化为更低的导通压降和功率损耗，有助于减少发热并提升能效。栅极驱动特性方面，其最大栅源阈值电压(Vgs(th))仅为1V，且标准驱动电压为4.5V至10V，这意味着它可以被常见的3.3V或5V逻辑电平轻松且高效地驱动，简化了驱动电路设计。

在动态参数上，ZXMP3F30FHTA表现出色，其栅极总电荷(Qg)在Vgs=10V时最大值仅为7nC，同时输入电容(Ciss)也保持在较低水平。这些特性共同决定了其极低的开关损耗和优秀的开关频率响应能力，使其非常适用于需要高频PWM控制的应用场景。器件的稳健性同样值得称道，其栅源电压可承受±20V的冲击，工作结温范围宽达-55°C至150°C，最大功耗为950mW，确保了在苛刻环境下的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES中国代理获取产品与相关服务。

基于其综合性能，ZXMP3F30FHTA非常适合用于空间受限的便携式设备、电池供电系统以及各类嵌入式控制模块中。典型应用包括作为负载开关用于电源路径管理、在DC-DC转换器中作为同步整流或高端开关、驱动电机或LED等负载，以及用于电池反接保护电路。其表面贴装的SOT-23封装也完全符合现代电子产品自动化生产的需求。

• 型号:ZXMP3F30FHTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 2.8A SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:80 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:370 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:950mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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