ZXMP3F36N8TA

ZXMP3F36N8TA是一款由Diodes Incorporated设计生产的P沟道增强型功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术制造，并封装于紧凑的8引脚SO表面贴装封装中。该器件专为高效率的电源管理和开关应用而优化，其核心架构基于稳健的P沟道设计，能够在-55°C至150°C的宽结温范围内稳定工作，确保了在苛刻环境下的可靠性。

该MOSFET的关键电气性能体现在其30V的漏源击穿电压(Vdss)和在25°C环境温度下高达7.2A的连续漏极电流(Id)能力上。其导通特性尤为突出，在10V驱动电压(Vgs)和10A漏极电流条件下，导通电阻(Rds(On))最大值仅为20毫欧，这一低导通电阻特性直接转化为更低的导通损耗和更高的系统整体效率。栅极驱动设计灵活，阈值电压(Vgs(th))最大值为2.5V，标准逻辑电平即可有效驱动，同时其最大栅极电荷(Qg)为43.9nC @ 15V，有助于实现快速的开关切换并降低驱动电路的损耗。

在接口与参数方面，器件支持最大±20V的栅源电压，为驱动设计提供了充足的余量。其输入电容(Ciss)在15V Vds下最大为2265pF，这是评估开关速度的重要参数。尽管其标称最大功率耗散为1.56W（Ta），但实际应用中需结合散热条件进行设计。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过正规的DIODES授权代理获取该产品的技术支持和供货信息。需要注意的是，此产品目前已处于停产状态，在新设计选型时应考虑其替代型号或生命周期状态。

基于其性能参数，ZXMP3F36N8TA非常适合应用于需要中低压、大电流控制的场景。典型应用包括直流-直流转换器中的负载开关、电源路径管理、电机驱动中的H桥下管，以及电池供电设备中的反极性保护和功率分配电路。其表面贴装形式便于自动化生产，能有效节省PCB空间，是空间受限的便携式电子设备和分布式电源系统的理想选择之一。

• 型号:ZXMP3F36N8TA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 7.2A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:43.9 nC @ 15 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2265 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.56W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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