ZXMP4A16GQTA

ZXMP4A16GQTA是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺制造的P沟道增强型功率MOSFET。该器件采用紧凑的SOT-223表面贴装封装，在单颗芯片上集成了高性能的功率开关与优化的热管理结构，其核心设计旨在实现极低的导通电阻与出色的开关效率，为空间受限的现代电子设备提供了高效的电源管理解决方案。

该MOSFET具备40V的漏源击穿电压，确保了在常见低压系统中应用的可靠性裕度。其P沟道特性使得它在作为高侧开关时，栅极驱动电路的设计可以更为简化，无需额外的电荷泵或电平移位电路，从而有效降低了整体方案的复杂度和成本。极低的导通电阻是其关键优势之一，这直接转化为更低的传导损耗，提升了系统的能效并减少了发热。同时，器件优化了栅极电荷和输入电容等动态参数，旨在实现快速的开关速度，降低开关损耗，这对于高频开关应用至关重要。

在接口与参数方面，ZXMP4A16GQTA的SOT-223封装在功率密度和散热能力之间取得了良好平衡，其裸露的散热焊盘便于将热量传导至PCB铜箔，提升了持续功率处理能力。其表面贴装特性完全兼容自动化贴片生产，适合大规模制造。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过授权的DIODES芯片代理获取原厂正品、完整的数据手册以及设计支持。

这款器件非常适合应用于需要高效功率切换或负载管理的场景。典型应用包括便携式设备的电源开关、电池保护电路、DC-DC转换器中的负载开关，以及电机驱动、LED照明控制等系统中的功率路径管理。其稳健的性能和紧凑的封装使其成为对空间、效率和成本均有要求的消费电子、工业控制及通信模块等领域的理想选择。

• 型号:ZXMP4A16GQTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 40V SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:60 毫欧 @ 3.8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:26.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1007 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• 现在可以订购ZXMP4A16GQTA，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。